Дифференциальный усилитель

| Категория реферата: Рефераты по технологии
| Теги реферата: книга изложение, источники реферат
| Добавил(а) на сайт: Celobanov.

|Позиционное |Наименование: |Количество: |Примечание: |
|обозначение: | | | |
|R1,R3,R5 |резистор 4КОм(10% |3 |Р=3,4мВт |
|R2 |резистор |1 |Р2=5,8мВт |
| |1,8КОм(10% | | |
|R4 |резистор |1 |Р4=2,2мВт |
| |1,7КОм(10% | | |
|R6 |резистор |1 |Р6=2,6мВт |
| |5,7ком(10% | | |
|VT1,VT4 |транзистор КТ318В |2 |Р=8мВт |
|VT2 |транзистор КТ369А |1 |Р=14мВт |
|VT3 |транзистор КТ354Б |1 |Р=7мВт |

Напряжение источника питания: 6,3 В(10%.
Сопротивление нагрузки не менее: 20 КОм.

1. Анализ технического задания.

Гибридные ИМС (ГИС) – это интегральные схемы, в которых применяются плёночные пассивные элементы и навесные элементы (резисторы, конденсаторы, диоды, оптроны, транзисторы), называемые компонентами ГИС. Электрические связи между элементами и компонентами осуществляются с помощью плёночного или проволочного монтажа. Реализация функциональных элементов в виде ГИС экономически целесообразна при выпуске малыми сериями специализированных вычислительных устройств и другой аппаратуры.
Высоких требований к точности элементов в ТЗ нет.
Условия эксплуатации изделия нормальные.

2. Выбор материалов, расчёт элементов, выбор навесных компонентов.

В качестве материала подложки выберем ситалл СТ50-1.
Транзисторы выберем как навесные компоненты.
VT1,VT4-КТ318В,
VT2-КТ369А,
VT3-КТ354Б.
По мощностным параметрам транзисторы удовлетворяют ТЗ. По габаритным размерам они также подходят для использования в ГИС.
Рассчитаем плёночные резисторы.
Определим оптимальное сопротивлениеквадрата резистивной плёнки из соотношения:

(опт=[((Ri)/((1/Ri)]^1/2.

(опт=3210(Ом/().
По полученному значению выбираем в качестве материала резистивной плёнки кермет К-20С. Его параметры: (опт=3000 ОМ/(, Р0=2 Вт/см^2, (r=0.5*10^-4
1/(С.
В соответствии с соотношением

(0rt=(r(Тmax-20(C)
(0rt=0.00325, а допустимая погрешность коэффициента формы для наиболее точного резистора из

(0кф= (0r- (0(- (0rt- (0rст- (0rк равно (0кф=2.175. Значит материал кермет К-20С подходит.
Оценим форму резисторов по значению Кф из

Кфi=Ri/(опт(.
Кф1,3,5=1.333, Кф2=0.6, Кф6=1.9, Кф4=0.567.
Поскольку все резисторы имеют прямоугольную форму, нет ограничений по площади подложки и точность не высока, выбираем метод свободной маски. По таблице определяем технологические ограничения на масочный метод:
(b=(l=0.01мм, bтехн=0.1мм, lтехн=0.3мм, аmin=0.3мм, bmin=0.1мм.
Рассчитаем каждый из резисторов.
Расчётную ширину определяем из bрасч(max(bтехн, bточн,bр),

(b+(l/Кф Р bточн(------------, bр=(--------)^2.

(0кф Р0*Кф

За ширину резистора-b принимают ближайшее значение к bрасч, округлённое до целого числа, кратного шагу координатной сетки. bр1,3,5=0.375мм, bтехн=0.1мм, bточн=0.8мм, значит b1,3,5=0.8мм.

Расчётная длина резистора lрасч=b*Кф. За длину резистора принимают ближайшее к lрасч, кратное шагу координатной сетки значение.
Полная длина напыляемого слоя резистора lполн=l+2*lк. Таким образом lрасч=1.066мм, а lполн=1.466, значит l1,3,5=1.5мм.
Рассчитаем площадь, занимаемую резистором S=lполн*b. S1,3,5=1.2мм^2.
Аналогичным образом рассчитываем размеры резистора R6. b6=0.7мм, lполн=1.75мм, S=1.225мм^2.
Для резисторов, имеющих Кф(1, сначала определяют длину, а затем ширину.
Расчётное значение длины выбирают из условий

(l+(b*Кф Р*Кф lрасч(max(lтехн,lточн,lр), lточн(------------, lр=(--------)^1/2.

(0кф

Р0

lточн2=0.736мм, lр2=0.417мм, значит l2=0.75мм. bрасч=l/Кф, bрасч2=1.25мм, S=0.9375мм^2.
Аналогично рассчитываем R4/ lточн=0.72мм, lр=0.25мм, l4=0.75мм. b4=1.35мм, S=1.0125мм^2.
Резисторы спроектированы удовлетворительно, т.к.:
1) удельная мощность рассеивания не превышает допустимую

Р01=Р/S(Р0;
2) погрешность коэффициента формы не превышает допустимую

(0кф1=(l/lполн+(b/b((0кф;
3) суммарная погрешность не превышает допуск

(0r1=(0((+(0кф+(0rt+(0rст+(0rк((0r.

3. Выбор подложки.

В качестве материала подложки мы уже выбрали ситалл.
Площадь подложки вычисляют из соотношения

Sr+Sc+Sk+Sн
Sподл=------------------, где