Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7

Мв ум = Мв1 * Мв2 * Мвок * Мвн

Здесь Мв1 , Мв2 , Мвок , Мвн - коэффициенты частотных искажений соответственно каскадов на ОУ, оконечного каскада и ёмкости нагрузки Сн . Если Ku оу выбран на порядок больше требуемого усиления каскада на ОУ, то каскад ОУ частотных искажений не вносит ( Мв1 = Мв2 = 1).

Коэффициент искажений оконечного каскада задаётся формулой:

_________

Мвок = 1 + ( ( 1+ ((в /(() - 1)(1 - Kuoк)

Здесь (( - верхняя частота выходных транзисторов. Коэффициент частотных искажений нагрузки Мвн , определяемый влиянием ёмкости нагрузки
Сн в области высоких частот зависит от постоянной времени (вн нагрузочной ёмкости :

__________________

Мвн = ( 1 + ( 1 / ( 2((в(вн ))2

(вн = Сн* (Rвыхум | | Rн)

При неправильном введении отрицательной обратной связи в области граничных верхних и нижних частот может возникнуть ПОС ( положительная обратная связь) и тогда устройство из усилителя превратится в генератор.
Это происходит за счёт дополнительных фазовых сдвигов , вносимых как самим усилителем, так и цепью обратной связи. Эти сдвиги тем больше, чем большее число каскадов охвачено общей обратной связью. Поэтому не рекомендуется охватывать общей ООС больше, чем три каскада.

Заключение

В данном курсовом проекте мы расчитали основные параметры и элементы усилителя мощности, а так же оценили влияние параметров усилителя на завалы
АЧХ в области верхних и нижних частот.

Спецификация элементов

|№ п/п |Обозначение |Тип |Кол - во|
|1 |R1 |Резистор МЛТ-0.5 - 0.1 кОм ( 10 |1 |
| | |% | |
|2 |R2 |Резистор МЛТ-0.5 - 540 кОм ( 10 %|1 |
|3 |Rд |Резистор МЛТ-0.5 - 5 Ом ( 10 % |2 |
|4 |VD1-VD2 |Диод полупроводниковый КД223 |2 |
|5 |VT1 |Транзистор КТ817 |1 |
|6 |VT2 |Транзистор КТ816 |1 |
|7 |VT3 |Транзистор КТ315 |1 |
|8 |VT4 |Транзистор КТ361 |1 |
|9 |DA1-DA2 |Операционный усилитель К140УД6 |2 |

Библиографический список

1. Д. В. Игумнов, Г.П. Костюнина - “Полупроводниковые устройства

непрерывного действия “ - М: “Радио и связь”, 1990 г.

2. В. П. Бабенко, Г.И. Изъюрова - “Основы радиоэлектроники”. Пособие по курсовому проектированию - М: МИРЭА, 1985 г.

3. Н.Н. Горюнов - “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”

Справочник - М: “Энергоатомиздат”, 1985 г.

Скачали данный реферат: Апрелия, Антония, Maslov, German, Werbinin, Fedula, Malyshev, Комягин.
Последние просмотренные рефераты на тему: реферат образ жизни, сообщение на тему, банк курсовых работ бесплатно, диплом государственного образца.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7