Производство кристалла 564ИЕ10
| Категория реферата: Рефераты по технологии
| Теги реферата: взаимодействие реферат, хозяйство реферат
| Добавил(а) на сайт: Fedorenko.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 | Следующая страница реферата
5.5. Травление окисной пленки.
Буферный травитель.
5.6. Контроль.
6. Ионное легирование. Бор 1.
“Карман”. Установка “Лада 30”.
7. Снятие фоторезиста.
7.1. Плазма. Установка “08 ПХО 100Т-001”
7.2. Смесь Каро.
8. Химическая обработка.
9. Разгонка бора. “Карман”.
Температура 1200ОС. О2+азот.
10. Вторая фотолитография.
Формирование областей сток- исток р-канальных транзисторов и р+-охраны.
11. Ионное легирование. Бор 2 .
Сток- исток. Установка “Везувий-3М”.
12. Снятие фоторезиста.
Плазма и смесь Каро.
13. Химическая обработка.
14. Разгонка бора. Сток- исток.
Температура 1000ОС, О2+пар.
15. Третья фотолитография.
Формирование областей сток- истока n-канальных транзисторов и n+-охраны.
16. Химическая обработка.
17. Загонка фосфора (диффузионный метод).
Температура 900ОС. Диффузант — POCl3.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: автомобили реферат доход реферат, конспект, мцыри сочинение.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 | Следующая страница реферата