Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении усилителя мощности

| Категория реферата: Рефераты по технологии
| Теги реферата: дипломная работа исследование, реферат египет
| Добавил(а) на сайт: Саломея.

Для C2 – электровакуумное стекло C 41 - 1.

Материалом обкладок для этих конденсаторов будет Al.

2. Определение уточненной толщины диэлектрика.

d=0,0885*(/Co d=0,02301 мм

3. Определение площади перекрытия обкладок конденсаторов.

S=C/Co*Кз

SС1=20 мм*мм

SС2=550 мм*мм

4. Определение размеров обкладок конденсаторов.

Размеры верхних обкладок конденсаторов будут равны:

__ lв.о.= bв.о.=( S lв.о.С1= bв.о.С1=4,472 мм lв.о.С2= bв.о.С2=23,452 мм

Размеры нижних обкладок конденсаторов, с учетом допусков на перекрытие, будут равны:

lн.о.=bн.о.= lв.о.+2((l+g) lн.о.С1=bн.о.С1=4,922 мм lн.о.С2=bн.о.С2=23,902 мм

5. Определение размеров межслойного диэлектрика.

lд/э= bд/э =lн.о.+ 2((l+f) lд/э С1=bд/э С1=5,372 мм lд/э С2=bд/э С2=24,352 мм

6. Определение площади, занимаемой конденсаторами, по размерам диэлектрика.

S = lд/э* bд/э

SС1 = 28,858 мм*мм

SС2 = 593.0199 мм*мм

Расчет резисторов.

1. Выбор материала резистивной пленки.

Для R1 - нихром X20H80.

Для R2 - нихром X20H80.

Для R3 - нихром X20H80.

Для R2 - нихром X20H80.