"Разработка высоковольтного драйвера газоразрядного экрана на полиимидном носителе"
Содержание.
Глава 1. Введение ........................................ 3

Глава 2. Технологическая часть ........................... 6
2.1. Анализ существующих методов сборки .................. 7
2.1.1. Проволочные методы ................................ 7
2.1.2. Метод перевернутого кристалла ..................... 17
2.1.3. Современные конструкции гибких носителей для монтажа БИС .............................................. 18
2.1.4. Метод переноса объемных выводов ................... 23
2.2. Разработка техпроцесса сборки "высоковольтного драйвера" для газоразрядного экрана на полиимидном носителе ................................................. 25
Глава 3. Конструкторская часть ........................... 26
3.1. Анализ конструкции экрана с применением высоковольтного драйвера на полиимидном носителе ......... 27
3.2. Проектирование полиимидного носителя для сборки высоковольтного драйвера ................................. 32
3.2.1. Автокад. Общие сведения ........................... 32
3.2.2. Конструкторско-технологические ограничения на разработку полиимидного носителя ......................... 34
3.3. Разработка конструкции для крепления кристалла при ультразвуковой сварке ................................ 41

Глава 4. Исследовательская часть ......................... 42
4.1. Анализ научно-технической информации по сварным узлам лепестковых выводов бескорпусных БИС ............... 43
4.2. Оценка напряжений в сварных соединениях бескорпусных БИС ......................................... 45
4.3. Конструктивное исполнение сварных узлов ............. 46
4.4. Расчет оптимальной рабочей длины балки, в зависимости от толщины полиимида и толщины фольги ...... 48
4.5. Технологические рекомендации по выполнению сварных узлов бескорпусных БИС ........................... 49

Глава 5. Расчет себестоимости высоковольтного драйвера газоразрядного экрана и прогнозирование путей ее снижения ........................................ 53
5.1. Понятие себестоимости ............................... 54
5.2. Затраты, включаемые в себестоимость ................. 55
5.3. Учет технологических потерь ......................... 56
5.4. Расчет себестоимости высоковольтного драйвера ....... 58
5.5. Пути снижения себестоимости ......................... 62
5.6. Расчет себестоимости изделия, учитывая пути ее снижения .............................................. 63
5.7. Заключение .......................................... 65

Глава 6. Анализ производственно-экологической безопасности при производстве высоковольтных драйверов газоразрядных экранов .................................... 66
6.1. Анализ опасных и вредных воздействий при операциях сборки и монтажа высоковольтных драйверов ................ 67
6.2. Требования безопасности при организации технологических операций ................................. 72
6.3. Обеспечение экологической безопасности на производстве .......................................... 78
6.4. Заключение .......................................... 82

Выводы ................................................... 83
Список литературы ........................................ 84
Приложение ............................................... 85

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1.

Введение.

К настоящему времени микроэлектроника сформировалась как генеральное схемотехническое и конструктивно-технологическое направление в создании средств вычислительной техники, радиотехники и автоматики.

Основополагающая идея микроэлектроники - конструктивная интеграция элементов электронной схемы объективно приводит к интеграции схемотехнических, конструкторских и технологических решений, которая выражается в тесной взаимосвязи и взаимообусловленности всех этапов проектирования интегральной микросхемы. При этом главным связующим звеном всех этапов проектирования является задача обеспечения высокой надежности
ИМС.

Важнейшей задачей схемотехнического проектирования, является разработка быстродействующих и надежных схем, устойчиво работающих при низких уровнях мощности (малая допустимая мощность рассеивания), в условиях сильных паразитных связей (высокая плотность упаковки) и при ограниченных по точности и стабильности параметров элементов. Потенциальная возможность
ИМС на этом этапе проектирования оценивается с учетом возможностей выбранного структурно технологического варианта ИМС и его технологической реализации.

Конструктор, стремясь сохранить быстродействие и надежность ИМС на проектном уровне, определяет оптимальную технологию, выбирает материалы и технологические методы, обеспечивающие надежные электротехнические соединения, а также защиту от окружающей среды и механических воздействий с учетом технологических возможностей и ограничений.

При технологическом проектировании синтезируется оптимальная структура технологического процесса обработки и сборки, позволяющая максимально использовать отработанные, типовые процессы и обеспечивать высокую воспроизводимость, минимальную трудоемкость и стоимость с учетом конструкторских требований.

Важным этапом технологического проектирования, направленного на обеспечение качества и надежности ИМС, является разработка операций контроля на всех этапах производства ИМС: входного контроля основных и вспомогательных материалов и комплектующих изделий, контроля в процессе обработки, межоперационного контроля полуфабрикатов и выходного контроля готовых изделий.

Рост степени интеграции и функциональной насыщенности единицы объема изделий микроэлектроники, объективно приводит к микроминитюаризации их исполнения.

Практика показывает, что проблемы, связанные с микроминитюаризацией, комплексно могут быть решены на базе разработки и внедрения новых конструктивно-технологических принципов сборки ИМС и аппаратуры на их основе.

ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ

ЧАСТЬ

Глава 2.

2.1. Анализ существующих методов сборки БИС.

2.1.1. Проволочные методы сборки БИС.

Соединения проволокой является в настоящее время, к сожалению, пока наиболее распространенным способом монтажа ИМС. Рассмотрим особенности этого способа.

Присоединение проволочных выводов.

Монтажные операции, связанные с присоединением выводов, осуществляются, во-первых, для создания внутрисхемных соединений при монтаже кристаллов на подложках гибридных пленочных микросхем и микросборок
(контактная площадка кристалла при этом соединяется с контактной площадкой подложки с помощью перемычки или непосредственно); во-вторых, для коммутации контактных площадок кристалла ИМС или периферийных контактов гибридных микросхем и микросборок с внешними выводами корпуса.