"Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6"

СОДЕРЖАНИЕ

Введение. 2

Основная часть. 4

1.1. Методы получения полупроводниковых соединений. 4

1.1.1. Выращивание монокристаллов из растворов. 4

1.1.2. Выращивание монокристаллов из паровой фазы. 9

Метод конденсации паров компонентов. 10

Метод диссоциации или восстановления газообразных соединений 13

Метод реакций переноса 16

Методы переноса в протоке. 19

1.2. Соединения A11 BVI . Общие свойства. 21

1.3.Получение полупроводниковых монокристаллов соединений типа
АIIBVI. 26

Технология синтеза и выращивания монокристаллов с определенными свойствами. 29

Заключение. 33

Список используемой литературы. 34

Приложение.

Введение.

При разработке технологии выращивания монокристаллов любого полупроводникового материала определяют:

1) условия, при которых обеспечивается надежное получение монокристаллов с заданной кристаллографической ориентацией, с оптимальными размерами и стехеометрической формой;

2) влияние условий выращивания монокристаллов на возникновение в них линейных и точечных дефектов,

3) условия введения в растущий кристалл легирующих примесей и зависимость их концентрации и распределения в объеме монокристалла от условий выращивания;

4) влияние примесей на возникновение в монокристаллах различных структурных несовершенств, а также влияние структурных дефектов на характер распределения примесей.

Для выращивания монокристаллов можно использовать процессы кристаллизации из расплавов, из паровой фазы или из растворов кристаллизующегося вещества в соответствующем растворителе.

Во всех этих случаях механизм роста кристалла, т. е. механизм присоединения атомов питающей фазы к растущему кристаллу, подчиняется законам повторимого роста.