Еще в 1981-1985 гг. на период до 1990 года перед советскими учеными была поставлена задача создания химико-технологических процессов получения новых веществ и материалов с заданными свойствами. В применении к кристаллам это означало поиск, синтез и выращивание новых кристаллических материалов, всестороннее исследование и научную разработку путей целенаправленного изменения их свойств и прогнозирование новых веществ.
Вплоть до начала ХХ в. промышленное использование монокристаллов ограничивалось почти исключительно ювелирными самоцветами. Применение кристаллов с богатой гаммой вариаций их физических свойств, обусловленных симметрией и анизотропией, началось в 20-х годах нашего столетия. Требования к качеству монокристальных материалов и их массовому производству вызвало к жизни появление промышленности выращивания кристаллов, которая в настоящее время становится промышленностью создания материалов с заданными свойствами. В настоящее время рождаются и развиваются новые области техники, целиком базирующиеся на использовании своеобразных свойств кристаллов.
Одновременно ширится потребность в специалистах, которые умели бы целенаправленно выращивать кристаллы с требуемыми свойствами, исследовать, рассчитывать и применять эти кристаллы, для чего требуется активное владение математическим аппаратом кристаллографии и кристаллофизики.
В связи с этим целью нашей работы является рассмотрение монокристаллов, а также симметрии кристаллов и их основных дефектов.
Введение...3
1. Монокристаллы...4
2. Элементы симметрии кристаллических многогранников..9
2.1. Операции и элементы симме¬трии I рода..9
2.2. Невозможность осей 5-го порядка. Принцип Кюри..12
2.3. Операции и элементы симметрии 2-го рода...14
3. Дефекты в кристаллах.17
3.1. Точечные дефекты23
Заключение..27
Список используемой литературы.28
1. Епифанов Г.И. Физика твердого тела. М.: Высш. шк., 1977. 288 с.
2. Курс физики: Учебник для вузов: В 2 т. Т. 2. 2-е изд., испр. /Под ред. В.Н.Лозовского. СПб.: Издательство «Лань», 2001 592 с.
3. Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов кристаллов. М., 1983.
4. Шаскольская М.П. Кристаллография: Учеб. пособие для втузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Высш. шк., 1984. 376 с., ил.
ись о землю одновременно, доказав тем самым, что в споре о скорости падения тел прав был Галилео, а не Аристотель. Однако ни сам Галилей, ни его современники никогда не упоминали об этом в своих запис
импульса i-й части тела на ось Z в соответствии с рис. 9.10 равна: (9.28)Произведя суммирование по всему телу и исходя из определе¬ния момента инерции, получим выражение для расчета проек¬ции момента
смесь компонент с различными температурами. Как известно средняя величина кинетической энергии WT беспорядочного теплового движения W связана с температурой T следующим соотношениемгде k так называе
яются положительные ионы и свободные электроны. Свободно дви-жущиеся электроны и ионы могут переносить электрический ток, поэтому одно из определе-ний плазмы гласит: плазма это проводящий газ. Нагрев