Предыдущая страница реферата | 4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14

1—сетка; 2—сцинтиллятор; 3— светопровод ; 4— фотокатод или фотоэлектронный умножитель; 5—изолятор; 6 — металлический стакан;

А—пучок падающих (первичных) электронов; Б — поверхность объекта; В — коллектор

Разного рода сигналы представляют информацию об особенностях соответствующего участка объекта. Размер этого участка (по порядку величины) определяется сечением зонда, который в существующих конструкциях растровых электронных микроскопов может достигать 10—100 Е.
|[pic] |[pic] |
|Рис. 23. Принципиальная схема растрового электронного |
|микроскопа (а) и схема системы объектива с малым |
|отверстием нижнего полюсного наконечника (б) 1—нижний |
|полюсный наконечник; 2—объективная диафрагма: |
|3—стигматор; |
|4— отклоняющие катушки для сканирования |

Чтобы получить информацию о микроструктуре достаточно большой области, которая представляла бы характерную структуру объекта, ответственную за интересующие нас макроскопические физические или механические свойства, зонд заставляют обегать (сканировать) заданную площадь объекта по заданной программе (движется луч по строчкам, образующим квадрат, круг и т. д.)[8].

Масштаб изображения на экране катодно-лучевой трубки определяется отношением размера сканирования на поверхности объекта и размера изображения (растра) на экране. Уменьшение размера участка сканирования приводит к росту увеличения изображения. Предельные увеличения в современных конструкциях РЭМ достигают 150000—200000. Разрешающая способность зависит от вида используемого сигнала и вида объекта.
Наименьшие значения разрешаемого расстояния 70—100 Е при использовании эффекта эмиссии вторичных электронов. При любом виде используемого для выявления микроструктуры сигнала характерным является чрезвычайно большая глубина резкости вследствие очень малой апертуры (практически, параллельности) электронного зонда. Глубина резкого изображения объекта оказываем всегда не меньшей, чем размер изображаемого участка в плоскости.
Если линейный размер экрана около 100 мм, то при увеличении 10000 изображаемое поле объекта (10 мкм, примерно такой же будет и глубина резкого изображения объекта ((1 мкм)[1]. Устройство электронно-оптической части и камеры объекта РЭМ типа «Стереоскан» показаны на рис. 23 б.

3. Применение растровой электронной микроскопии в исследованиях адгезионных соединений

Растровая электронная микроскопия нашла применение при исследовании адгезионных соединений. С помощью РЭМ изучают характер разрушения адгезионных систем (адгезионный, когезионный или смешанный), поверхности субстратов, швы клеевых соединений, прорастание трещин в материалах. Вся эта информация необходима при анализе адгезионных соединений.

Ниже приведены электронно-микроскопические снимки, полученные растровым электронным микроскопом:

[pic]

Рис. 21. Разрушение адгезионных соединений эпоксидное связующее — высокопрочное органическое волокно ВНИИВЛОН: а — конец волокна, выдернутого из соединения; б — отверстие в смоле после выдергивания волокна

[pic]

Рис.22. Вид моноволокна после отслоения от резины

[pic]

Рис.23. Поперечный срез клеевого соединения древисины

[pic]

Рис. 24. Поперечные срезы волокон: а- вискозное, б- высокопрочное вискозное, в- капрон

Скачали данный реферат: Sineokov, Zyl'kov, Nilin, Задорнов, Bushmelev, Petra, Наум, Еликонида.
Последние просмотренные рефераты на тему: жизнь реферат, банк бесплатных рефератов, изложение язык, развитие ребенка реферат.





Предыдущая страница реферата | 4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14