Полупроводники, р-n переход

| Категория реферата: Рефераты по физике
| Теги реферата: бесплатные рефераты скачать бесплатно, товар реферат
| Добавил(а) на сайт: Геремеш.

На переход эмиттер — база подается напряжение в проходном направлении
(рис. 13), а на пеpеход база — коллектор подается большее напряжение в запорном направлении. Это приводит к понижению потенциального барьера на первом переходе и повышению барьера на втором (рис. 14,6). Протекание тока в цепи эмиттера сопровождается проникновением дырок в область базы (встречный поток электронов мал вследствие того, что их концентрация невелика). Проникнут в базу, дырки диффундируют по направлению к коллектору. Если толщина базы небольшая, почти все дырки, не успев рекомбинировать, будут достигать коллектора. В нем они подхватываются полем и увеличивают ток, текущий в запорном направлении в цепи коллектора. Всякое изменение тока в цепи эмиттера приводит к изменению количества дырок, проникающих в коллектор и, следовательно, к почти такому же изменению тока в цепи коллектора..
Очевидно, что изменение тока в цепи коллектора не превосходит изменения тока в цепи эмиттера, так что, казалось бы, описанное устройство бесполезно. Однако надо учесть, что переход имеет в запорном направлении гораздо большее сопротивление, чем в проходном. Поэтому при одинаковых изменениях токов изменения напряжения в цепи коллектора будут во много раз больше, чем в цепи эмиттера. Следовательно, транзистор усиливает напряжения и мощности. Снимаемая с прибора повышенная мощность появляется за счет источника тока, включенного в цепь

Германиевые транзисторы дают усиление (по напряжению и по мощности), достигающее 10000.