Вынужденное явление Рамана

| Категория реферата: Рефераты по физике
| Теги реферата: реферат эволюция, курсовые работы
| Добавил(а) на сайт: Дарюшин.

[pic] (20)
Вторая ступень заключается в образовании антистоксова фотона из другого лазерного фотона и соответствующего фонона:

[pic] (21)

На первой ступени образуются стоксовы фотоны (с заранее определенной энергией [pic]), различно направленные, и соответствующие им фононы (рис.
3). На второй ступени может произойти поглощение только такого фонона, который даст антистоксов фотон [pic], имеющий соответствующее определенное направление, если только этот фотон отвечает уравнениям (20) и (21), а следовательно, и условию (14). Другие фононы не приводят к испусканию антистоксоъа фотона. Поэтому антистоксово рассеяние имеет значительный максимум в определенном направлении. На рис. 4 представлены результаты исследований упомянутых авторов. Они исследовали интенсивность трех стоксовых линий S1, S2 и S3, а также первой антистоксовой линии AS1 в зависимости от угла рассеяния. Показано, что:

[pic]
0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 Отклонение от оси, пучка, град.

1. Первая стоксова линия S1 обнаруживает наибольшую интенсивность в направлении лазерного луча. По мере возрастания угла интенсивность уменьшается и не обнаруживает другого максимума ни в каком определенном направлении. (Появление максимумов у последующих стоксовых линий S2 и S3, а также очень слабых максимумов на линии S1 имеет особую причину, которую мы здесь не будем обсуждать.)
2. Соответствующая первой стоксовой линии S1 первая антистоксова линия
AS1 обнаруживает сильный максимум интенсивности под углом рассеяния около
3,0°.Как видно, антистоксово рассеяние не происходит в исправлении падающего света, а после максимума быстро спадает до нуля.
Эти два факта согласуются с двухступенчатым процессом вынужденного рамановского перехода.

Рис. 4. Угловое распределение интенсивности первых трех стоксовых линий и первой антистоксовой линии в нитробензоле.
Антистоксова линия 635 мм к (кривая AS1), стоксовы линии: 765 ммк (кривая
S2), 853 ммк (кривая S2), 964 ммк (кривая S3).
-----------------------

[1] Комбинационное рассеяние, или эффект Рамана — Мандельштама, называемое автором рамановским рассеянием или рассеянием Рамана, наблюдалось индийским ученым Раманом на жидкостях в 1926 году и советскими физиками Мандельштамом и Ландсбергом на кристаллах кварца в 1927 г.

--------------------
[pic]

Антистоксово рассеяние

Стоксово рассеяние

Батарея конденсаторов

Пленка