25 мА
|
Тперmax
|
Температура перехода
|
448 К
|
Pрас
|
Постоянная рассеиваемая мощность (без
теплоотвода)
|
0,26 Вт
|
Рассчитаем
параметры эквивалентной схемы для данного транзистора используя формулы 5.1 -
5.13.
Ск(треб)=Ск(пасп)*
=2×
=1,41 (пФ), где
Ск(треб)-ёмкость
коллекторного перехода при заданном Uкэ0,
Ск(пасп)-справочное
значение ёмкости коллектора при Uкэ(пасп).
rб=
=17,7 (Ом);
gб=
=0,057 (Cм), где
rб-сопротивление
базы,
-справочное значение постоянной цепи обратной связи.
rэ=
=
=6,54 (Ом), где
Iк0 в мА,
rэ-сопротивление
эмитера.
gбэ=
=
=1,51(мСм), где
gбэ-проводимость
база-эмитер,
-справочное значение статического коэффициента передачи тока
в схеме с общим эмиттером.
Cэ=
=
=0,803 (пФ), где
Cэ-ёмкость
эмиттера,
fт-справочное
значение граничной частоты транзистора при которой
=1
Ri=
=1000 (Ом), где
Ri-выходное
сопротивление транзистора,
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: административное право шпаргалки, реферат по обже.
Предыдущая страница реферата |
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18 |
Следующая страница реферата