Предыдущая страница реферата | 4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 | Следующая страница реферата

R2===2,38 (кОм)(4.3.3)

R1===672 (Ом)(4.3.4)

R3 = (Ом)(4.3.5)

Еп = Uкэо2+UR4 = 10+5 = 15В(4.3.6)

Данная схема требует значительное количество дополнительных элементов, в том числе и активных. При повреждении емкости С1 каскад самовозбудится и будет не усиливать, а генерировать, т.е. данный вариант не желателен, поскольку параметры усилителя должны как можно меньше зависеть от изменения параметров его элементов. Наиболее приемлема эмиттерная термостабилизация.

5. Расчёт параметров схемы Джиаколетто

Рисунок 5.1 - Эквивалентная схема биполярного транзистора (схема

Джиаколетто)

Ск(треб)=Ск(пасп)*=4×=8,9 (пФ), где

Ск(треб)-ёмкость коллекторного перехода при заданном Uкэ0,

Ск(пасп)-справочное значение ёмкости коллектора при Uкэ(пасп).

rб= =33,5 (Ом); gб==0,03 (Cм), где(5.1)

rб-сопротивление базы,

-справочное значение постоянной цепи обратной связи.

rэ= ==0,835 (Ом), где(5.2)

Iк0 в мА,

rэ-сопротивление эмиттера.

gбэ===0,039, где(5.3)

gбэ-проводимость база-эмиттер,

-справочное значение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Cэ===41 (пФ), где(5.4)

Cэ-ёмкость эмиттера,

fт-справочное значение граничной частоты транзистора при которой =1

Ri= =1333 (Ом), где(5.5)

Ri-выходное сопротивление транзистора,

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: административное право шпаргалки, реферат по обже.





Предыдущая страница реферата | 4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 | Следующая страница реферата