Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

3. Порядок выполнения работы.

3.1. снятие зависимости R(() сопротивления терморезистора от температуры.

Включить термостат, электронный термометр и омметр. Измерить сопротивление терморезистора при различных температурах – от комнатной до максимальной, равной 90°С, с интервалом (( =10 °С. Результаты опыта занести в табл. 2.1.

Таблица 2.1

|Опыт |Расчет |Примечание |
|( |R |Т |(R | |
|oC |Ом |К |град.-l | |
|20 | | | |Терморезистор типа |
|… | | | |... |
|90 | | | | |

3.2. определение тепловой постоянной времени терморезистора.

Измерив сопротивление терморезистора при 90 °С, быстро извлечь его из термостата. Момент извлечения принять за t = 0. Отключить термостат. фиксируя время, измерять сопротивление терморезистора при его остывании до тех пор, пока оно не увеличится примерно в три раза. Данные измерений занести в табл. 2.2.

Таблица 2.2
|t |с |0 |10 |20 |30 |40 |50 |60 |70 |и т. д. |
|R |Ом | | | | | | | | | |

3.3. Снятие динамических вольтамперных характеристик

Собрать электрическую схему установки в соответствии с рис. 2.5.

Установить напряжение на выходе источника питания ИП равное 5В.
Замкнув ключ К, записать показания миллиамперметра в начальный момент времени и далее через каждые 10 секунд. Через 60 с ключ разомкнуть. Перед следующим измерением выдержать минутную паузу для охлаждения терморезистора. Повторить измерения для напряжений 10, 15, 20, 25, 30 В; длительность паузы с ростом напряжения следует увеличивать. Результаты опыта занести в табл. 2.3.

Таблица 2.3

|U, В|i (мА) через [pic]с |
| |t = 0 |10 |20 |30 |40 |50 |60 |Примечание |
|5 | | | | | | | |Тип резистора …|
|10 | | | | | | | | |
|… | | | | | | | | |
|30 | | | | | | | | |

4. Оформление отчета

Привести схемы экспериментальных установок, данные измерительных приборов и исследуемых элементов, а также таблицы измерений.
Для исследованного температурного диапазона определить по формулам (2.2) и
(2.3) энергию активации (Э и коэффициент температурной чувствительности В терморезистора.
Рассчитать по формуле (2.4) и занести в табл. 2.1 значения (R. по данным табл. 2.1 построить графики зависимостей R=f(() и (R= f((). на основании данных табл. 2.1 и 2.2. построить график зависимости ((t).
Определить постоянную времени ( тепловой инерции терморезистора. За температуру среды (с принять комнатную температуру. по данным табл. 2.3 построить динамические вольтамперные характеристики терморезистора. дать краткие выводы по результатам работы.

Контрольные вопросы

1. Что называют терморезистором?
2. Чем обусловлена электропроводность полупроводников?
3. В чем причина сильной температурной зависимости сопротивления полупроводниковых резисторов?
4. Что такое коэффициент температурной чувствительности, как его можно определить экспериментально?
5. Почему терморезисторы обладают отрицательным температурным коэффициентом сопротивления?
6. Что такое постоянная времени терморезистора, отчего зависит ее величина?
7. Как практически можно определить постоянную времени терморезистора?
8. В чем различие между статической и динамической ВАХ терморезистора?

Работа З. Исследование свойств варисторов

Цель работы – исследование основных свойств варисторов и иллюстрация их практического применения.

1. Краткие сведения из теории

варистором называется нелинейный полупроводниковый резистор, электрическое сопротивление которого изменяется в зависимости от приложенного напряжения.

Варисторы изготавливаются из размолотого карбида кремния (SiC) с добавкой связующего вещества.

Причинами, обусловливающими нелинейность вольтамперной характеристики варистора, являются:

– микронагрев контактов между отдельными зернами карбида кремния, приводящий к возрастанию проводимости элемента во всем объеме;

– увеличение проводимости вследствие частичного пробоя оксидных пленок, покрывающих зерна карбида кремния, при напряженностях электрического поля E
= 105…106 В/м;
– существование на поверхности зерен карбида кремния запирающих р-п- переходов, обусловленных различным характером электропроводности по поверхности и в объеме отдельного зерна SiC.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферати, шпори на телефон, тезис.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата