Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: казахстан реферат, возрождение реферат
| Добавил(а) на сайт: Rostislav.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 | Следующая страница реферата
|Iб,| | | | | | | | | |
|мкА| | | | | | | | | |
|50 | | | | | | | | | |
|40 | | | | | | | | | |
|30 | | | | | | | | | |
|Iб0| | | | | | | | | |
|20 | | | | | | | | | |
|10 | | | | | | | | | |
|0 |0,1|0,1|0,2|0,2|0,2|0,2|0,2|0,3|Uбэ|
|0,1|7 |9 |1 |3 |5 |7 |9 |1 |,В |
|5 | | | | | | |Uбэ| | |
| | | | | | | |0 | | |
Параметры режима покоя (рабочей точки А):
Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В
Величина сопротивления Rб:
Определим H–параметры в рабочей точке.
|Iк | | | | | | | | | | |
|, | | | | | | | | | | |
|мА | | | | | | | | | | |
|6 | | | | | | | | | | |
|5 | | | | | | | | | | |
|4 | | | | |?Iк| | | | | |
| | | | | |0 | | | | | |
|3 | | | | | | | | | | |
| | | | | | | | |?Iк| | |
| | | | | | | | | | | |
|2 | | | | | | | | | | |
|1 | | | | | | | | | | |
|0 |1 |2 |3 |4 |5 |6 |7 |8 |9 |Uкэ|
| | | | | |Uкэ| | | |Еп |,В |
| | | | | |0 | | | | | |
?Uкэ
|Iб,| | | | | | | | | |
|мкА| | | | | | | | | |
|50 | | | | | | | | | |
|40 | | | | | | | | |
| | | |?Iб | | | | | |
|30 | | | | | | | | |
|Iб0| | | | | | | | |
|20 | | | | | | | | | |
|10 | | | | | | | | | |
|0 |0,1|0,1|0,2|0,2|0,2|0,2|0,2|0,3|Uбэ|
|0,1|7 |9 |1 |3 |5 |7 |9 |1 |,В |
|5 | | | | | | |Uбэ| | |
| | | | | | | |0 | | |
?Uбэ
?Iк0= 1,1 мА, ?Iб0 = 10 мкА, ?Uбэ = 0,014 В, ?Iб = 20 мкА, ?Uкэ= 4 В, ?Iк=
0,3 мА
H-параметры:
Определим G – параметры.
Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:
G-параметр:
G11э= 1,4 мСм, G12э= - 0,4*10 –6
G21э= 0,15 , G22э=
4,1*10 –3 Ом
Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.
Схема Джиаколетто – физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора:
Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и
собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями
(упрощёнными):
Собственная постоянная времени транзистора:
Крутизна:
Определим граничные и предельные частоты транзистора.
Граничная частота коэффициента передачи тока:
Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим
эммитером:
Максимальная частота генерации:
Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером:
Предельная частота проводимости прямой передачи:
Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: рефераты, реферат на тему мова, онегин сочинение.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 | Следующая страница реферата