Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: казахстан реферат, возрождение реферат
| Добавил(а) на сайт: Rostislav.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 | Следующая страница реферата
Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:
Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя
Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В и точку с координатами:
Iк= 0, Uкэ= Uкэ0+ Iк0*R~= 4,2 + 3*10 –3 * 847 = 6,7 В
|Iк | | | | | | | | | | |
|, | | | | | | | | | | |
|мА | | | | | | | | | | |
|6 | | | | | | | | | | |
|5 | | | | | | | | | | |
|4 | | | | | | | | | | |
| | | | | |А | | | | | |
|3 | | | | | | | | | | |
|Iк0| | | | | | | | | | |
|2 | | | | | | | | | | |
|1 | | | | | | | | | | |
|0 |1 |2 |3 |4 |5 |6 |7 |8 |9 |Uкэ|
| | | | | |Uкэ| | | |Еп |,В |
| | | | | |0 | | | | | |
Определим динамические коэффициенты усиления.
|Iк | | | | | | | | | | |
|, | | | | | | | | | | |
|мА | | | | | | | | | | |
|6 | | | | | | | | | | |
|5 | | | | | | | | | | |
| | | | | | | | | | | |
| | | | | | | | | | | |
| | | | | |А | | | | | |
|4 | | | | | | | | | |
| | | | | | | | | | |
| | | | | | | | |?Iк | |
|3 | | | | | | | | | |
|Iк0| | | | | | | | | |
|2 | | | | | | | | | | |
|1 | | | | | | | | | | |
|0 |1 |2 |3 |4 |5 |6 |7 |8 |9 |Uкэ|
| | | | | |Uкэ| | | |Еп |,В |
| | | | | |0 | | | | | |
?Uкэ
|Iб,| | | | | | | | | |
|мкА| | | | | | | | | |
|50 | | | | | | | | | |
|40 | | | | | | | | |
| | | |?Iб | | | | | |
|30 | | | | | | | | |
|Iб0| | | | | | | | |
|20 | | | | | | | | | |
|10 | | | | | | | | | |
|0 |0,1|0,1|0,2|0,2|0,2|0,2|0,2|0,3|Uбэ|
|0,1|7 |9 |1 |3 |5 |7 |9 |1 |,В |
|5 | | | | | | |Uбэ| | |
| | | | | | | |0 | | |
?Uбэ
?Iк= 2,2 мА, ?Uкэ= 1,9 В, ?Iб = 20 мкА, ?Uбэ = 0,014 В
Динамические коэффициенты усиления по току КI и напряжению КU определяются соотношениями:
Выводы:
Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.
Библиографический список.
1) “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А.,
Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..
2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк.,
1980г.
3) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк.,
1969г.
4) Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.:
Энергоатомиздат, 1985г..
5) Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г..
6) Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.:
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: рефераты, реферат на тему мова, онегин сочинение.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 | Следующая страница реферата