Изучение режимов работы диодов и транзисторов в электронных схемах
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: изложение, новые сочинения
| Добавил(а) на сайт: Zari.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 | Следующая страница реферата
Поскольку у правильно выбранных диодов их обратное сопротивление
Rобр(Rтр+RH, постоянная времени разряда (разр ( СRH и ( разр 2U2m по сравнению с однополупериодной схемой. Еще одной
особенностью этой схемы является отсутствие в трансформаторе постоянного
подмагничивания, так как ток вторичной обмотки в полупериодах протекает в
противоположных направлениях.
Для уменьшения пульсации выходного напряжения между выпрямителем и нагрузкой часто включают сглаживающий фильтр. Качество сглаживания определяется коэффициентом сглаживания, равным отношению коэффициента пульсации на входе фильтра к коэффициенту пульсации на его выходе
[pic]
Например, простой LC -фильтр, представляющий собой последовательно о нагрузкой включенный дроссель и параллельно c нагрузкой включенный конденсатор, существенно уменьшает пульсации, поскольку для постоянной составляющей U0 сопротивление дросселя близко к 0, а конденсатора - к бесконечности, для пульсирующей - наоборот, поэтому постоянная составляющая проходит через фильтр практически без изменений, а пульсирующая существенно уменьшается.
Использование электронного стабилизатора позволяет значительно уменьшить кп, Rвых, а также зависимость U0 от колебаний напряжения сети и тока нагрузки. Качество стабилизации оценивается коэффициентом стабилизации при постоянном токе нагрузки
[pic]
где (Uвых - приращение U0 при изменении Uвх на величину (Uвх ;
Uвх.ном ; Uвых.ном - номинальные значения напряжений.
[pic]
Рис. 5. Параметрический стабилизатор (а) и вольт-амперная характеристика стабилитрона (б)
Простейшим электронным стабилизатором является параметрический стабилизатор (рис. 5а), состоящий из балластного сопротивления Rб и стабилитрона. Он устанавливается в источнике питания между нагрузкой и выпрямителем со сглаживающим фильтром, если таковой имеется. В этой схеме используется свойство обратно смещенного стабилитрона сохранять напряжение в области пробоя практически неизменным при значительных избиениях протекающего через него тока (рис. 56, обратная ветвь ВДХ стабилитрона в области Uст). При отклонении Uвх от номинального значения почти все приращение входного напряжения падает на Rб , а выходное напряжение практически не меняется. При изменении тока нагрузки J2 (Uвх – const) перераспределение тока между стабилитроном и нагрузкой (изменяется Jcт ) почти без изменения общего тока J1 . Следовательно, напряжение на нагрузке остается практически постоянным. Коэффициент стабилизации параметрического стабилизатора определяется по формуле
[pic]
где rg - динамическое сопротивление стабилитрона.
Выходное сопротивление стабилизатора Rвых=Rб||rg(rg так как rg0) . При этом транзистор обладает усилительными свойствами и токи его электродов связаны между собой через статические коэффициенты передачи по току транзистора В и (
В= Iк /Iб , В+1= Iэ /Iб, (= Iк /Iэ
откуда следует, что В=(/(1-(), (=В/В+1.
[pic]
Рис. 8 . Статические вольт-амперные характеристики транзистора: а) выходные, б) входные.
[pic]
Для оценки параметров усилителя его принципиальную схему преобразуют в эквивалентную, в которой транзистор замещается своей малосигнальной эквивалентной схемой рис. 9.
Нас интересуют формулы для кu, кi, кp, Rвх и Rвых в диапазоне средних
частот. На этих частотах можно не учитывать частотную зависимость
коэффициента передачи по току и емкость Скэ(она отбрасывается). Емкости
конденсаторов CI, C2 и СЗ выбирают настолько большими, чтобы на средних
частотах их сопротивление было пренебрежимо малым по сравнению с суммарным
сопротивлением окружающих их резисторов. Поэтому в эквивалентной схеме на
рис.10 они представлены коротко- замкнутыми ветвями. То же относится и к
источнику питания Ек, так как схема на рис.10 справедлива только для
переменных составляющих токов и напряжений. С учетом сказанного резисторы
R1 и R2, так же как и резисторы Rк и RH (RH - нагрузка, подключается к
выходным клеммам усилителя), оказываются соединенными параллельно. Поэтому
в эквивалентной схеме фигурируют Rб = R1||R2 и RkH = Rk||RH. Аналогично
можно получить эквивалентные схемы для каскадов ОБ и ОК. Применяя к
эквивалентным схемам каскадов известные методы анализа электрических цепей
(например, метод контурных токов), можно получить приближенные формулы для
оценки основных параметров усилительных каскадов, представленные в таблице.
В этих формулах
RЭH = RЭ||RH Rвх троэ = rf + rЭ (B+1), где rЭ=26 мВ/IЭА, R'=RrRб/(
Rr+Rб), а Rr- внутреннее сопротивление источника сигнала. Для всех схем
кр=кuкi.
[pic]
Верхняя граничная частота полосы пропускания (на этой частоте Uвых в
[pic] раз меньше, чем на средней частоте) транзисторного каскада зависит от
параметров транзистора fh21б, B, Cк, rб и rэ, нагрузки RH,CH , внутреннего
сопротивления источника сигнала Rr и схемы включения транзистора. Дkя
любого усилительного каскада fв=(2((в)-1 где (в=G((в+CкэRкH)+CHRкH. В
последней формуле (в=(B+1)/ 2( fh21б, Cкэ=Cк(B+1), а коэффициент G для
каждой схемы включения транзистора вычисляют по формулам таблицы.
Описание макета
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: дипломная работа на тему, контрольная 3, электронный реферат.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 | Следующая страница реферата