Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9 | Следующая страница реферата

Ak - площадь коллектора;

Аэ - площадь эмитера; a - градиент концентрации примесей;

[pic] - отношение подвижностей электронов и дырок;

Сз.к зарядная (барьерная) емкость коллекторного перехода;

Сд.э - диффузионная емкость эмитерного перехода;

Сз.э - зарядная (барьерная) емкость эмитерного перехода;

Дп, Др - коэффициенты диффузии электронов и дырок;

Днб, Доб - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в базе;

Днэ, Доэ - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в эмиттере;

Е — напряженность электрического поля;

(( - ширина запрещенной зоны;

( - частота;

(( - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой;

(Т ( (( - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмитером;

(max - максимальная частота генерации; hkp - толщина кристалла; hэ, hk — глубина вплавления в кристалл эмитера и коллектора;

Ln, Lp - средние диффузионные длины электронов и дырок;

Lнб, Lнэ средние диффузионные длины не основных носителей в базе и эмитере;

Nб, Nk, Nэ — концентрации примесей в базе, коллекторе и эмитере сплавного транзистора;

Nб(х) - концентрация примеси, формирующей проводимость базы дрейфового транзистора;

Nэ(x) - концентрация примеси, формирующей проводимость эмиттера дрейфового транзистора; ni - равновесная концентрация электронов в собственном полупроводнике; nn, np - равновесные концентрации электронов в полупроводниках n - типа и p - типа;

Р - мощность, рассеиваемая в коллекторе;

Pk max - предельно допустимая мощность, рассеиваемая в коллекторе;

Рэ - периметр эмитера;

Рn, Рp - равновесные концентрации дырок в полупроводниках n -типа и p
- типа;

Rб, Rэ, Rк - радиусы электродов базы, коллектора, эмитера;

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат на тему война, сочинение рассуждение, конспект занятия.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9 | Следующая страница реферата