Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9

6 Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот

Задача: определение сопротивлений эквивалентной схемы, дифференциальных, диффузионных и омических сопротивлений ЭС транзистора.

[pic]

Рис. 3. Эквивалентная схема транзистора в схеме с ОБ.

1. Дифференциальное сопротивление эмитера:

[pic] (27),

[pic] = 1,438889 Ом.

2. Сопротивление базы есть сумма омического сопротивления [pic] и диффузионного [pic] сопротивлений, а также сопротивления растекания базового контакта [pic]:

[pic] (28).
Сопротивления [pic] можно найти по формуле:

[pic] (29),
Для центрального расположения [pic]:

[pic] (30),

[pic]= 26,82607 Ом
Для центральной части выводов эмиттера и базы:

[pic] (31), где [pic] = 0.004245Омсм,

[pic]= 48,10962 Ом

[pic]=74,93569
Диффузионное сопротивление учитывающее внутреннюю обратную связь в транзисторе за счет эффекта Эрли равно:

[pic] (32),

[pic] = 110,3175
Для сплавно-диффузионных транзисторов [pic]

Скачали данный реферат: Evfrosinija, Iola, Уланов, Корнелий, Jan, Громыко, Рудов, Vasil'ev.
Последние просмотренные рефераты на тему: сочинения по литературе, скачать реферат человек, реферат по физике, капитанская дочка сочинение.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9