1 Расчет входной и выходной характеристики транзистора с использованием модели Молла – Эберса.

1.1 Расчет и построение выходных характеристик транзистора

Исходные данные:

. q = 1,6*10 –19 Кл – заряд электрона;

. ni = 1,5*1010 см –3 – концентрация, при температуре 300 К;

. А = 1*10 –6 см2 – площадь p-n перехода;

. Дnк = 34 см2/с – коэффициент диффузии электронов в коллекторной области;

. Дрб = 13 см2/с – коэффициент диффузии дырок в базовой области;

. Ln = 4.1*10 –4 м – диффузионная длина электрона;

. UТ = 25,8 мВ – температурный потенциал при температуре 300 К;

. Wб = 4,9 мм – ширина базовой области;

. Nдб = 1,1*1016 см –3 – донорная концентрация в базовой области;

. Nак = 3*1017 см –3 – акцепторная концентрация в коллекторной области;

[pic] (1.1)

UЭ – const

-UК = 0; 0.01; 0.05; 0.1; 1; 1.5; 2; 3; 4; 5;

Находим значение IК , затем меняя UЭ , при тех же значениях UК находим значения тока.

Таблица 1.1 – Значения IК при разных значениях UЭ

|IК при UЭ = |IК при UЭ |IК при UЭ = |IК при UЭ |IК при UЭ = |
|0 В |=0.005 В |0.01 В |=0.015 В |0.02 В |
|0 |0 |0 |0 |0 |
|8.429e-3 |5.598e-3 |0.021 |0.029 |0.039 |
|0.023 |0.014 |0.035 |0.043 |0.053 |
|6.749 |0.028 |0.038 |0.046 |0.056 |
|0.026 |0.032 |0.039 |0.047 |0.057 |
|0.026 |0.032 |0.039 |0.047 |0.057 |
|0.026 |0.032 |0.039 |0.047 |0.057 |
|0.026 |0.032 |0.039 |0.047 |0.057 |
|0.026 |0.032 |0.039 |0.047 |0.057 |
|0.026 |0.032 |0.039 |0.047 |0.057 |

По полученным данным построим график зависимости представленный на рисунке
1.1

[pic]

Рисунок 1.1 – Выходная характеристика транзистора

1.2 Расчет и построение входных характеристик транзистора

[pic] (1.2)

UЭ = 0; 0.01; 0.02; 0.03; 0.04; 0.05; 0.06; 0.07; 0.08; 0.09