Расчет полевого транзистора
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: матершинные частушки, экзамены
| Добавил(а) на сайт: Сигов.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 | Следующая страница реферата
UК – const
Таблица 1.2 – Значения тока эмиттера при различных значениях UЭ
|IЭ при UК = 0 В |IЭ при UК = - ( |IЭ при UК = 0.03|
| |В |В |
|0 |-0.026 |0.057 |
|-0.012 |-0.039 |0.045 |
|-0.031 |-0.057 |0.027 |
Продолжение таблицы 1.2
|-0.057 |-0.084 |-3.552e-10 |
|-0.097 |-0.123 |-0.039 |
|-0.154 |-0.181 |-0.097 |
|-0.239 |-0.265 |-0.182 |
|-0.363 |-0.390 |-0.306 |
|-0.546 |-0.573 |-0.489 |
|-0.815 |-0.841 |-0.758 |
Для построения входной характеристики нужны значения тока базы
IБ = -(IЭ + IК )
(1.3)
Таблица 1.3 – Значения тока базы
|IБ [мА] |
|0 |0.021 |-0.070 |
|3.954e-3 |0.025 |-0.066 |
|8.033e-3 |0.029 |-0.062 |
|0.031 |0.052 |-0.038 |
|0.070 |0.091 |4.754e-4 |
|0.128 |0.149 |0.058 |
|0.213 |0.233 |0.143 |
|0.337 |0.358 |0.267 |
|0.520 |0.541 |0.450 |
|0.788 |0.809 |0.719 |
По значениям токов и напряжений построим зависимость тока базы от
напряжения UБЭ представленную на рисунке 1.2.
[pic]
Рисунок 1.2 – Входные характеристики транзистора
2 Расчет концентрации не основных носителей
Исходные данные:
. Wе = 3,0 мм – ширина эмиттерной области;
. Wб = 4,9 мкм – ширина базовой области;
. Wк = 5,1 мм – ширина коллекторной области;
. Х = 10 мм
2.1 В эмиттерной области:
[pic]
где UЭ = 0,005B
[pic]
[pic]
Рисунок 2.1 – График распределения концентрации от координат в эмиттерной области
2.2 В базовой области:
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: реферат экономическое развитие, темы рефератов по психологии, контрольные за 1 полугодие.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 | Следующая страница реферата