Технология получения монокристаллического Si

| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: сочинение егэ, дипломная работа разработка
| Добавил(а) на сайт: Финагин.

. дефекты по Френкелю,

. атомы примеси в положении замещения,

. атомы примеси в междоузлии.

[pic]

Дефект по Шоттки представляет собой вакансию в кристаллической решетке. Вакансия образуется, как правило, на поверхности кристалла. При этом атом или покидает решетку или остается с ней связанным. В дальнейшем вакансия мигрирует в объем кристалла за счет его тепловой энергии. В условиях термодинамического равновесия концентрация этих дефектов NШ задается уравнением

NШ= C*exp(-W/kT), где C - константа,

W - энергия образования данного вида дефекта.

Для кремния значение W= 2,6 эВ.

[pic]

Дефект по Френкелю представляет собой вакансию и междоузельный атом. Концентрация этих дефектов вычисляется также по формуле, но с большим значением энергии образования междоузельного атома W=

4,5 эВ. Вакансия и междоузельный атомы перемещаются внутри решетки за счет тепловой энергии.

[pic]

Возможно внедрение примесных атомов в кристаллическую решетку.

При этом атомы примеси, находящиеся в положении замещения, создают энергетические уровни в запрещенной зоне полупроводника.

Атомы примеси, находящиеся в междоузлиях, не создают этих уровней, но влияют на механические свойства полупроводника.

. Линейные дефекты

К линейным дефектам относятся:

. краевая дислокация

. винтовая дислокация

Краевые дислокации возникают за счет параллельного смещения атомов одной плоскости относительно другой на одинаковое расстояние b в направлении параллельном возможному перемещению дислокации. Винтовые дислокации также возникают за счет смещения атомных плоскостей, но атомы смещаются на разные расстояния в направлении перпендикулярном перемещению дислокации.

Оба типа дефектов образуются за счет механических напряжений, существующих в кристалле, и обусловлены градиентом температуры или большой концентрации примесных атомов. Краевые дислокации в кристаллах, используемых для производства ИС, как правило, отсутствуют.

. Поверхностные дефекты

К поверхностным дефектам относятся:

. границы зерен монокристаллов,

. двойниковые границы.