Усилитель модулятора системы записи компакт-дисков
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: сочинение по картине, инновационный менеджмент
| Добавил(а) на сайт: Drosida.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата
[pic], [pic], [pic], где [pic], [pic].
Результаты выбора рабочей точки двумя способами приведены в таблице
3.1.
Таблица 3.1.
| |Eп, (В) |Iко, (А) |Uко, (В) |Pрасс.,(Вт)|Pпотр.,(Вт)|
|С Rк |129,043 |0,123 |6,5 |0,797 |15,813 |
|С Lк |6,5 |0,121 |6,5 |0,785 |0,785 |
Из таблицы 3.1 видно, что для данного курсового задания целесообразно использовать дроссель в цепи коллектора.
Произведём построение нагрузочных прямых для резистивного каскада: Еп =
129,043(В), Uкэ0 = 6,5(В), Iк0 = 0,123(А), [pic], где [pic], [pic], (Uк
найдём по формуле: [pic], а [pic].
3.3.2 Выбор транзистора
Выбор транзистора осуществляется с учётом следующих предельных параметров:
1. Граничной частоты усиления транзистора по току в схеме с ОЭ
[pic];
2. Предельно допустимого напряжения коллектор-эмиттер
[pic];
1. Предельно допустимого тока коллектора
[pic];
4. Предельной мощности, рассеиваемой на коллекторе
[pic].
Этим требованиям полностью соответствует транзистор КТ 610 А . Его основные технические характеристики приведены ниже.
Электрические параметры:
1. Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ [pic]МГц;
2. Постоянная времени цепи обратной связи [pic]пс;
3. Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ [pic];
4. Ёмкость коллекторного перехода при [pic] В [pic]пФ;
5. Индуктивность вывода базы [pic]нГн;
6. Индуктивность вывода эмиттера [pic]нГн.
Предельные эксплуатационные данные:
1. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер [pic]В;
2. Постоянный ток коллектора [pic]мА;
3. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора [pic] Вт;
4. Температура перехода [pic]К.
3.3.3 Расчёт эквивалентной схемы транзистора
3.3.3.1 Схема Джиаколетто
Многочисленные исследования показывают, что даже на умеренно высоких частотах транзистор не является безынерционным прибором. Свойства транзистора при малом сигнале в широком диапазоне частот удобно анализировать при помощи физических эквивалентных схем. Наиболее полные из них строятся на базе длинных линий и включают в себя ряд элементов с сосредоточенными параметрами. Наиболее распространенная эквивалентная схема- схема Джиаколетто, которая представлена на рисунке 3.6. Подробное описание схемы можно найти [8].
Достоинство этой схемы заключается в следующем: схема Джиаколетто с достаточной для практических расчетов точностью отражает реальные свойства транзисторов на частотах f ( 0.5fт ; при последовательном применении этой схемы и найденных с ее помощью Y- параметров транзистора достигается наибольшее единство теории ламповых и транзисторных усилителей.
Расчитаем элементы схемы, воспользовавшись справочными данными и приведенными ниже формулами [6].
Справочные данные для транзистора КТ610А:
Ск=4?10-12(Ф) при Uкэ=10(В) , ?с=20?10-12(с) при Uкэ=10(В) , fт=1?109(Гц),
Iкmax=0,3?(А), Uкэmax=26(В), где Cк- емкость коллекторного перехода,
(с- постоянная времени обратной связи, Н21э=(о- статический коэффициент
передачи тока в схеме с ОЭ.
Найдем значение емкости коллектора при Uкэ=10В по формуле :
[pic] (3.3.12)
где U(кэо – справочное или паспортное значение напряжения;
Uкэо – требуемое значение напряжения.[pic]
[pic].
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: клетка реферат, человек реферат, скачать контрольную.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата