Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Сопротивление базы рассчитаем по формуле:
[pic], [pic].
(3.3.13)

Используя формулу (3.3.12), найдем значение коллекторной емкости в рабочей точке :
[pic]

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ найдем по формуле:
[pic],

(3.3.14)
[pic]

Найдем ток эмиттера по формуле:
[pic],

(3.3.15)
[pic].

Найдем сопротивление эмиттера по формуле:
[pic]

(3.3.16) где Iэо – ток в рабочей точке, занесенный в формулу в мА.
[pic].

Проводимость база-эмиттер расчитаем по формуле:
[pic],

(3.3.17)
[pic].

Определим диффузионную емкость по формуле:
[pic],

(3.3.18)
[pic].
Крутизну транзистора определим по формуле:
[pic] ,

(3.3.19)
[pic].
3.3.3.2 Однонаправленная модель

Поскольку рабочие частоты усилителя заметно больше частоты [pic], то из эквивалентной схемы можно исключить входную ёмкость, так как она не влияет на характер входного сопротивления транзистора. Индуктивность же выводов транзистора напротив оказывает существенное влияние и потому должна быть включена в модель. Эквивалентная высокочастотная модель представлена на рисунке 3.7. Описание такой модели можно найти в [6].

[pic]

Параметры эквивалентной схемы рассчитываются по приведённым ниже формулам [6].

Входная индуктивность:

[pic],

(3.3.20) где [pic]–индуктивности выводов базы и эмиттера.

Входное сопротивление:

[pic],

(3.3.21) где [pic], причём [pic], где

[pic]и [pic] – справочные данные.

Крутизна транзистора:

[pic],
(3.3.22) где [pic], [pic], [pic].

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: клетка реферат, человек реферат, скачать контрольную.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата