Усилитель мощности на дискретных элементах
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: література реферат, дипломная работа персонал
| Добавил(а) на сайт: Аверьян.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата
По зависимости коэффициента передачи тока от тока коллектора определяем коэффициент передачи тока в статическом режиме h21эп6=69 и в динамическом h21э6=40.
Находим амплитуду тока базы транзистора VT6:
[pic], (2.5.10)
По входной характеристике находим напряжение база - эмиттер покоя
транзистора VT6 Uбэп6 = 0.62В, а так же при максимальном значении тока базы
Uбэm6 = 0.86 В
Находим напряжение смещение транзисторов VT6 VT8.
[pic]. (2.5.11)
Находим входное сопротивление выходного каскада при максимальном значении входного тока.
[pic], (2.5.12)
где UR10 – падение напряжения на эмиттерном резисторе транзистора VT8.
2 Выбор транзисторов каскадов предварительного усиления и входного каскада
При расчете данных каскадов принимаем, что амплитуда коллекторного
(стокового) тока данного транзистора равна амплитуде входного тока
следующего транзистора. Для сведения нелинейных искажений к минимуму, минимальный ток коллектора каждого транзистора выбираем при максимальном
значении коэффициента передачи тока, при этом желательно, чтобы транзистор
находился в классе А.
1 Расчет каскада на транзисторе VT3
Выбор транзистора VT3 производится по следующим параметрам:
[pic] , (2.5.13)
где Iкmin – ориентировочное значение минимального тока для транзисторов средней мощности.
Выбираем транзистор КТ815В (параметры приведены в приложении А).
По зависимости коэффициента передачи тока от тока коллектора определяем максимальный коэффициент передачи тока h21э3 и ток коллектора при данном коэффициенте Iкmin3: h21к3 = 75, Iкmin3 = 20мА.
По полученным значениям рассчитываем токи коллектора и базы покоя транзистора VT3:
[pic], (2.5.14)
Находим току амплитуду тока базы покоя транзистора VT3:
[pic], (2.5.15)
По входной характеристике находим напряжение база - эмиттер покоя транзистора VT3 Uбэп3 = 0.74В.
Рассчитываем резистор R6:
[pic], (2.5.16)
где Uсм – напряжение смещения транзисторов VT6 и VT8.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: шпаргалки по управлению, реферат лист, анализ курсовой работы.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата