Предыдущая страница реферата | 3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 | Следующая страница реферата

По зависимости тока стока от напряжения затвор – исток находим напряжение затвор – исток покоя Uзип = 0.042В.

Рассчитываем резистор R3 по формуле:

[pic]. (2.5.23)

По полученным данным выбираем резистор МЛТ-0.125Вт-51Ом [pic].

По зависимости крутизны от напряжения затвор-исток определяем крутизну транзистора VT1 S=2.5 мА/В.

3 Расчет коэффициента усиления без обратной связи

Определяем амплитуду входного напряжения усилителя:

[pic]. (2.5.24)

Определяем амплитуду тока стока транзистора VT1 Iсm согласно формуле
4.85 из литературы [1]:

[pic], (2.5.25)

где S – крутизна транзистора VT1,

RСИдиф = 0.8МОМ - дифференциальное сопротивление сток-исток транзистора VT1,

M=S RСидиф =2кОм.

Определяем амплитуду входного тока следующего каскада Iбm2 по формуле:

[pic], (2.5.26)

где h11эдиф2 – дифференциальное входное сопротивление транзистора VT2.

Данное выражение было получено на основании выражений

[pic], (2.5.27)

где [pic] - мгновенное значение тока коллектора (стока) текущего транзистора,

[pic] - мгновенное значение тока базы следующего транзистора,

[pic] - мгновенное значение напряжения база - эмиттер следующего транзистора,

[pic] - коллекторная (стоковая) нагрузка текущего транзистора, h11эдиф – дифференциальное входное сопротивление транзистора.

Определяем амплитуду тока коллектора транзистора VT2 Iкm2:

[pic] (2.5.28)

Определяем амплитуду входного тока следующего каскада Iбm3 аналогично предыдущему случаю:

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: шпаргалки по управлению, реферат лист, анализ курсовой работы.





Предыдущая страница реферата | 3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 | Следующая страница реферата