Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

(4.13)
Для упрощения здесь [pic]Тогда изменение напряжения на транзисторе будет равно:

[pic]

Вид нагрузочных прямых изображен на рисунке (4.4).

[pic]

Рисунок 4.4- Нагрузочные прямые для дроссельного каскада
Потребляемая мощность каскадом и рассеиваемая на транзисторе аналогично определяется по выражениям (4.11, 4.12). В результате получается:

[pic]
Видно, что мощность рассеивания равна потребляемой.

Сравнивая энергетические характеристики двух каскадов, можно сделать вывод, что лучше взять дроссельный каскад, так как он имеет наименьшее потребление, напряжение питания и ток.

4.2 Выбор транзистора оконечного каскада

Выбор транзистора осуществляется по следующим предельным параметрам:
- предельный допустимый ток коллектора[pic];
- предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер [pic];
- предельная мощность, рассеиваемая на коллекторе[pic].
- граничная частота усиления транзистора по току в схеме с ОЭ [pic].

Этим требованиям удовлетворяет транзистор КТ939А [3]. Основные технические характеристики этого транзистора приводятся ниже.

Электрические параметры:
-граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ [pic]МГц;
-постоянная времени цепи обратной связи при [pic]В [pic]пс;
-индуктивность базового вывода [pic];
-индуктивность эмиттерного вывода [pic];
-статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ [pic];
-емкость коллекторного перехода при [pic] В [pic]пФ.

Предельные эксплуатационные данные:
-постоянное напряжение коллектор-эмиттер [pic]В;
-постоянный ток коллектора [pic]мА;
-постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=298К [pic] Вт;
-температура перехода [pic]К.

4.3 Расчет эквивалентной схемы транзистора

Так как рабочие частоты усилителя больше частоты[pic], то входная ёмкость не будет влиять на характер входного сопротивления транзистора на высоких частотах, а будет влиять индуктивность выводов транзистора. Ёмкость можно исключить из эквивалентной схемы, а индуктивность оставить.
Эквивалентная однонаправленная модель представлена на рисунке (4.5).
Описание такой модели можно найти в [4].

[pic]

Рисунок 4.5 – Однонаправленная модель транзистора

[pic]

Рисунок 4.6 – Схема Джиаколетто

Параметры эквивалентной схемы не даны в справочнике, но они совпадают с параметрами схемы транзистора, предложенной Джиаколетто [1,4] (рис.4.6).

Входная индуктивность:

[pic]

(4.14)

[pic]–индуктивности выводов базы и эмиттера.

Входное сопротивление:

[pic],

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: курсовые работы, класс, реферат вещество.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата