Предыдущая страница реферата | 3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 | Следующая страница реферата

[pic]
(4.26)

[pic]

(4.27)

[pic]

(4.28)
Результатом подстановки будет:

[pic]Ом

[pic]

[pic]

[pic] Ом
Напряжение Еп=Uкэо, потому что при постоянном токе Urк равно нулю.

Рассеиваемая мощность при такой термостабилизации находится по формуле:

[pic]
(4.29)
Тогда получится:

[pic]

4.4.3 Коллекторная активная термостабилизация

В активной коллекторной термостабилизации используется дополнительный транзистор, который управляет работой основного транзистора. Эта схема применяется в мощных каскадах, где требуется высокий КПД. Её описание и расчёт можно найти в [5,6].

[pic]

Рисунок 4.9 – Схема активной коллекторной термостабилизации

Вначале, при расчете выбирается транзистор VT1. В качестве VT1 выбран
КТ361А [3]. Основные технические параметры приведены ниже.

Электрические параметры:
-статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ [pic];
-емкость коллекторного перехода при [pic] В [pic]пФ.

Предельные эксплуатационные данные:
-постоянное напряжение коллектор-эмиттер [pic]В;
-постоянный ток коллектора [pic]мА;
-постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк=298К [pic]Вт;

После этого выбирается падение напряжения на резисторе [pic] из условия [pic](пусть [pic]В), затем производится расчёт по выражениям:

[pic];

(4.30)

[pic]; (4.31)

[pic];

(4.32)

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: курсовые работы, класс, реферат вещество.





Предыдущая страница реферата | 3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 | Следующая страница реферата