ЭТПиМЭ

| Категория реферата: Рефераты по схемотехнике
| Теги реферата: allbest, сочинение по русскому
| Добавил(а) на сайт: Nefed'ev.

Для данной схемы требуется:

1) один 4-х эмиттерный транзистор.
2) три транзистора n-p-n.
3) два диода.

Геометрические размеры навесных элементов должны быть соизмеримы с размерами пассивных элементов:

1) В качестве 4-х эмиттерного транзистора использован транзистор с геометрическими размерами 1х4 мм и расположением выводов как на рис.1.
[pic]

[pic]
2) В качестве транзистора n-p-n используем транзистор КТ331.

Эксплутационные данные:
Umax кэ = 15 В
Umax бэ = 3 В
I к max = 20 мА

3) В качестве диодов использован диод 2Д910А-1
[pic]

Эксплутационные данные:
Uоб р = 5 В
Iпр = 10 мА

Проверим удовлетворяет ли мощность рассеивания на резисторах максимальной мощности рассеивания для материала из которого изготовлены резисторы, а именно для пасты ПР-1К у которой P0 = 3 Вт/см2.

Для R1

P1 max = 4,2 мВт

SR1 =[pic]( b = 2 ( b = 2 ( 0,5 = 1 мм2

Необходимо чтобы P0 ( P1 max , т.е. условие выполняется.

[pic]

Для R2

P2 max = 8,4 мВт

SR2 =[pic]( b = 2 ( b = 1 ( 0,5 = 0,5 мм2

Необходимо чтобы P0 ( P2 max , т.е. условие выполняется.

[pic]

Для R3

P3 max = 0,26 мВт

SR2 =[pic]( b = 2 ( b = 2,25 ( 1,25 = 2,82 мм2

Необходимо чтобы P0 ( P3 max , т.е. условие выполняется.

[pic]

3.3. Топологический чертеж ГИМС (масштаб 10:1).
-------------------->



Скачали данный реферат: Kalashnikov, Филиппа, Leda, Kologreev, Савва, Федотия, Telepin, Karateev.
Последние просмотренные рефераты на тему: скачать реферат, реферат по праву, титульный курсовой работы, использование рефератов.