Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9 | Следующая страница реферата

[pic] (1.2)

где (=RTC постоянная времени калориметра.

Максимальное значение Т(t) достигается при t(( и равно Tmax=RT(PO.

2. Мощность в калориметре выделяется в виде периодической последовательности прямоугольных импульсов: PO, (u и q — импульсная мощность, длительность и скважность импульсов соответственно. Можно показать, что в этом случае для значений параметров лазерного излучения, наиболее часто встречающихся на практике ,

[pic] (1.3)

3. В калориметре рассеивается энергия одиночного прямоугольного импульса. Температура калориметрического тела в этом случае изменяется во времени следующим образом:

(1.4) при 0(t((u при (u(t(= h(О, где (О — пороговая частота, ниже которой фотоэффект невозможен. Длину волны (О=с/(О называют длинноволновой (красной) границей фотоэффекта. Обычно коротковолновая граница фотопреобразователя ограничивается пропусканием входного окна ПИП.

К фотоприемникам на основе внешнего фотоэффекта относятся вакуумные приборы: фотоэлементы (ФЭ) и фотоэлектронные умножители,

Спектральный диапазон вакуумных ФП зависит от материала фотокатода. В настоящее время выпускаемые промышленностью ФЭ и ФЭУ перекрывают диапазон от УФ (0.16 мкм) до ближнего ИК излучения (1,2 мкм — для серебряно- кислородно-цезиевого катода). Абсолютная спектральная чувствительность ФЭ определяется следующим образом:

S(=QЭФ((/1.24 (1.7)

где QЭФ — эффективный квантовый выход, ( — длина волны излучения, мкм, S( меняется в зависимости от типа и конструкции прибора (10-3…10-1 мА/Вт).

Динамический диапазон, в котором сохраняется линейность преобразования оптического сигнала в электрический, для ФЭ сравнительно большой. Нижний предел ограничен шумами и темновым током ФЭ, верхний — влиянием пространственного заряда и продольным сопротивлением фотокатода, В режиме непрерывного облучения нижний предел может достигать 10-14 А, верхний не превышает 10-4 А. В импульсном режиме верхний предел может быть увеличен до десятков ампер.

Шумы и темновые токи ФЭ сравнительно невелики, однако из-за низкой чувствительности ФЭ нецелесообразно применять их для измерения малых уровней оптических сигналов.

Современные сильноточные временные ФЭ позволяют получать время нарастания переходной характеристики (между уровнями 0.1 и 0.9 от максимального значения) порядка 10-10 с.

ФЭУ обладают высокой чувствительностью благодаря наличию умножительной
(диодной) системы. Если коэффициент вторичной эмиссии i-го диода (i, коэффициент сбора электронов (i , а m — число каскадов усиления, то коэффициент усиления ФЭУ:

[pic] (1.8)

абсолютная спектральная чувствительность ФЭУ:

S(= S(k(M где абсолютная спектральная чувствительность фотокатода ФЭУ, определяемая аналогично по формуле (1.7).

Чувствительность ФЭУ может достигать (105 А/Вт в максимуме спектральной характеристики. В обычных ФЭУ линейность сохраняется до десятков миллиампер, у современных сильноточных — до единиц ампер.

При измерениях оптических сигналов большой мощности можно увеличить диапазон линейности ФЭУ для больших потоков частично используя динодную систему и снимая сигнал с промежуточных динодов. Нижний предел динамического диапазона ограничен шумами и темновыми токами ФЭУ, которые обычно составляют 10-11…10-5 А. Быстродействие современных ФЭУ лежит в пределах 30...1 нс (1н=10-9 с).

К ФП на основе внутреннего фотоэффекта относятся фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, МДП-фотоприемники и другие полупроводниковые
ФП. Для измерения энергетических параметров излучения наиболее широкое распространение получили фотодиоды (ФД) и фоторезисторы (ФР).

Действие ФР основано на явлении фотопроводимости, заключающемся в возникновении свободных носителей заряда в некоторых полупроводниках и диэлектриках при падении на них оптического излучения. Фотопроводимость приводит к уменьшению электрического сопротивления и соответственно к увеличению тока, протекающего через фоторезистор.

Общее выражение для абсолютной спектральной чувствительности ФР может быть представлено в виде:

[pic] (1.10)

где e — заряд электрона; V — объем освещенности части полупроводника; Q — квантовый выход внутреннего фотоэффекта; ( — подвижность фотоносителей; ( — время жизни фотоносителей; l — расстояние между контактами; u — напряжение, приложенное к ФР.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: сочинение на тему образ, скачать реферат бесплатно на тему, скачать бесплатно шпоры.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9 | Следующая страница реферата