Государственный комитет РФ по высшему образованию

Новгородский Государственный университет им. Ярослава Мудрого

Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники

”РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ

В КРЕМНИИ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИОНОЙ ОЧИСТКЕ

И ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАННИИ”

Пояснительная записка к курсовой работе по дисциплине

”Физико-химические основы технологии микроэлектроники”

Выполнил

Студент группы 7033у

Н.Е.Родин

Проверил

Преподаватель кафедры ФТТМ

Б.М.Шишлянников

1998

Техническое задание на курсовую работу по дисциплине

«Физико-химические основы технологии микроэлектроники»

Студенту гр. 7033 Родину Н.Е.

1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводникового материала при очистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной). материал кремний примеси - Ga,P и Sb исходное содержание примесей (каждой) 0,02% (массовых)

Для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин.

2. Проанализировать бинарную диаграмму состояния Si -Ga и представить графически область существования твердых растворов примеси, найти предельную твердую растворимость примеси и температуру предельной растворимости.

Рассчитать и построить распределение указанной выше примеси (Ga) в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условия диффузии:

• при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии – 30 мин.

• при температуре 950 оС; время диффузии – 30 мин.

• после перераспределения примеси, накопленной в приповерхностном слое полупроводника при температуре 950 оС и времени диффузии – 30 мин .
Условия перераспределения - полностью отражающая граница, температура 1150 оС, время 2 часа.