Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10

Полученные результаты используются для построения графика N = f(x) - примесного профиля. При построении профиля, как правило, используют полулогарифмический масштаб.

1.4.3 Распределение примеси после перераспределения примеси накопленной в приповерхностном слое полупроводника при Т=950ОС=1223 К и времени диффузии 30мин=1800с. Условие перераспределения полностью отражающая граница. Т=1150ОС=1423 К, время 2 часа=7200с.

Произведение D1t1 для процесса загонки равно: D1t1 = 3,31?10-15?1800’
5,958?10-12 см2

Коэффициент диффузии для процесса перераспределения примеси (Do
=0,374 см2/с , ?? = 3,41 эВ, T = 1423 K) равен D = 3,128 ? 10-13 см2/с.
Произведение D2t2 = 3,128?10-13?7200’ 2,25?10-9 см2. D2t2 > D1t1 (в 377 раз), т.е. условия быстрой истощаемости источника, следовательно, пользуемся для расчета распределения примеси выражением (27).

В первый столбец таблицы (6) заносим значения x, во второй значения exp(-x2/4D2t2), рассчитанные значения Ns заносим в третий столбец.

Таблица 6 - Результаты расчета распределения галлия в кремнии при диффузии из приповерхностного слоя.
|x, |[pic] |Ns , |x, |[pic] |Ns , |
|мкм | |см-3 |мкм | |см-3 |
|0 |1,0 |9,823?101|1,8 |0,02742 |2,693?101|
| | |7 | | |6 |
|0,36 |0,866 |8,507?101|2,16 |0,005633 |5,534?101|
| | |7 | | |5 |
|0,72 |0,5624 |5,525?101|2,52 |0,0008681 |8,527?101|
| | |7 | | |4 |
|1,08 |0,274 |2,69?1017|2,88 |0,0001 |9,854?101|
| | | | | |3 |
|1,44 |0,1 |9,831?101|3,24 |0,0000087 |8,541?101|
| | |6 | | |2 |

Полученные результаты используются для построения графика N = f(x) - примесного профиля.

Заключение.

В данном курсовом проекте были рассмотрены процесс очистки полупроводникового вещества – зонная плавка и способ введения примеси в полупроводник – диффузия примеси.

Для процесса зонной плавки произведен расчет для трех очищаемых примесей: фосфор, галлий, сурьма. Результаты расчета представлены в виде таблиц и графиков: распределение удельного сопротивления и распределения каждой примеси вдоль слитка кремния после очистки зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).

Эффективность очистки зависит от скорости кристаллизации: чем меньше скорость кристаллизации в донной примеси, тем лучше она очищается, таким образом при Vкр(0 kэфф(k0; Vкр(( kэфф(1. Но это не означает, что если мы уменьшим скорость кристаллизации до нуля, то получим исходное вещество в чистом виде – это лишь одно из условий очистки вещества. Определяющим является также равновесный коэффициент сегрегации (К0) , который отражает эффективность перераспределения между жидкой и твердой фазой, он должен отличаться от еденицы в большую или меньшую сторону. В нашем случае k0
Sb

Скачали данный реферат: Leon, Dennica, Dajneko, Uvakin, Всеволод, Абрамов, Алогрин, Sarakaev.
Последние просмотренные рефераты на тему: реферат на тему предприятие, мировая торговля, диплом система, характер реферат.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10