Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
| Категория реферата: Рефераты по химии
| Теги реферата: оценка дипломной работы, ремонт реферат
| Добавил(а) на сайт: Rafail.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 | Следующая страница реферата
[pic] (9)
Для одномерной диффузии в изотропной среде уравнение (9) можно записать
[pic]
(10)
Второй закон Фика характеризует процесс изменения концентрации
диффундирующей примеси во времени в различных точках среды и является
математической моделью нестационарного (развивающегося) состояния системы
(описывает период времени от начала процесса до установления стационарного
состояния).
При постоянстве коэффициента диффузии D (независимости его от концентрации примеси) уравнение (10) упрощается
[pic]
(11)
Допущение о постоянстве коэффициента диффузии справедливо в большом количестве случаев, анализируемых в технологии ИМС.
Уравнения диффузии являются чисто феноменологическими, т.е. они не содержат никаких сведений о механизмах диффузии - о диффузионном процессе на атомном, уровне. Кроме того, уравнения (7) - (11) не содержат информации о зарядовом состоянии диффундирующих частиц.
Процессы диффузии, используемые для изготовления интегральных структур, обычно анализируются с помощью частных решений уравнения (11) т.к., в отличие от (8), именно оно содержит важный параметр - время установления некоторого анализируемого состояния системы. Основная цель решения уравнения - найти распределение примеси N(x,t) в полупроводнике после диффузии в течение определенного времени t при различных условиях осуществления процесса.
Общее решение уравнения (11) для бесконечного твердого тела при заданном в общем, виде начальном распределении примеси N(x,0) = f(x) может быть найдено методом разделения переменных. Оно имеет вид
[pic][pic] , (12) здесь ? - текущая координата интегрирования.
Бесконечным в одномерном представлении называют тело, простирающееся от x=0 до x=- ? и до x=+ ?.
Часто при поиске распределения концентрации примеси в полупроводнике
необходимо решение уравнения (11) для полубесконечного твердого тела.
Полубесконечным в одномерном представлении называют тело, простирающееся от
x=0 до x=+ ?.
Для этого случая выражение (12) может быть приведено к виду
[pic][pic] (13)
В выражении (13) знак плюс относится к ситуации, когда граница твердого тела (x=0) является непроницаемой для диффундирующего вещества, находящегося в области x>0,[pic] (отражающая граница), а знак минус - к случаю, когда на границе твердого тела в любой момент времени концентрация диффундирующего вещества, также находящегося в области x>0, равна нулю - связывающая граница.
Представленные решения позволяют находить распределения примеси в твердом теле при любых начальных условиях. Решение конкретной задачи сводится к подстановке в (12) или (13) соответствующих ситуации начальных условий с последующими, как правило, очень громоздкими преобразованиями.
1.3.1 Распределение примеси при диффузии из полубесконечного пространства (диффузия из концентрационного порога)
Диффундирующая примесь (диффузант) поступает в полубесконечное тело
через плоскость x=0 из второго полубесконечного тела (источника) с
равномерным распределением примеси. Концентрация примеси в источнике - No.
Полагается, что в принимающем диффузант теле нет рассматриваемой примеси.
Начальное распределение концентраций для этого случая задается в виде
N(x,0) = No для x0
Решением уравнения (11) для этого случая является выражение
[pic] (14)
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: древний реферат, 6 класс контрольные работы, ответы 2011.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 | Следующая страница реферата