Конструирование микросхем и микропроцессоров
| Категория реферата: Рефераты по информатике, программированию
| Теги реферата: движение реферат, п реферат
| Добавил(а) на сайт: Федот.
Предыдущая страница реферата | 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 | Следующая страница реферата
(((((( - абсолютная погрешность изготовления;
(lустан - абсолютная погрешность совмещения трафарета;
[pic]- относительная погрешность удельной емкости.
2. Выбор материала диэлектрика:
В качестве материала диэлектрика будем использовать “СТЕКЛО
ЭЛЕКТРОВАКУУМНОЕ”. Характеристики этого материала приведены в таблице:
Таблица 10. Материал диэлектрика конденсатора
|Материал |С0, пФ/мм2 |( |tg ( |Eпр, |(с, |S, %/1000ч|
| | | | |В/мкм |10-4 | |
|Стекло | | | | | | |
|электровакуумно|100 - 300 |5 - 6 |0,002 - |200 - |2 |1,5 |
|е С41-1 | | |0,005 |400 | | |
|НПО.027.600 | | | | | | |
3. Определение толщины диэлектрика:
[pic]мкм, где
Кз - коэффициент запаса, необходимый для обеспечения надежностных характеристик и равный 2 - 4. Примем Кз = 2.
4. Определение удельной емкости по рабочему напряжению:
[pic]
5. Определение коэффициента формы конденсатора:
Для большей компактности микросхемы выберем коэффициент формы конденсатора равным двум. Конденсатор такой формы удобнее разместить на подложке, чем квадратный.
Кф = 2;
6. Определение относительной погрешности старения:
[pic], где
tисп - время испытания за которое определен коэффициент старения S; tисп = 1000 часов.
7. Определение относительной температурной погрешности:
[pic]=0,0002(150-20)=0,026
8. Вычисление относительной погрешности:
[pic]= 0,23-0,115-0,026-0,075 = 0,014;
9. Определение удельной емкости по относительной погрешности:
[pic];
10. Определение вида конденсатора:
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: мировая торговля, инновационный менеджмент.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 | Следующая страница реферата
Главная