Конструирование микросхем и микропроцессоров
| Категория реферата: Рефераты по информатике, программированию
| Теги реферата: движение реферат, п реферат
| Добавил(а) на сайт: Федот.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата
Вид производства - мелкосерийное, объем - 5000 в год.
Аннотация
Ц
елью данного курсового проекта является разработка интегральной микросхемы
в соответствии с требованиями, приведенными в техническом задании.
Микросхема выполняется методом свободных масок по тонкопленочной
технологии.
В процессе выполнения работы мы выполнили следующие действия и получили результаты:
- произвели электрический расчет схемы с помощью программы электрического моделирования “VITUS”, в результате которого мы получили необходимые данные для расчета геометрических размеров элементов;
- произвели расчет геометрических размеров элементов и получили их размеры, необходимые для выбора топологии микросхемы;
- произвели выбор подложки для микросхемы и расположили на ней элементы, а также в соответствии с электрической принципиальной схемой сделали соединения между элементами;
- выбрали корпус для микросхемы с тем расчетом, чтобы стандартная подложка с размещенными элементами помещалась в один из корпусов, рекомендуемых ГОСТом 17467-79.
Введение
П риведем принципы работы и основные характеристики разрабатываемой микросхемы:
Микросхема К 237 ХА 2 предназначена для усиления и детектирования
сигналов ПЧ (промежуточной частоты) радиоприемных устройств не имеющих УКВ
диапазона, а также для усиления напряжения АРУ (автоматической регулировки
усиления). Широкополосный усилитель ПЧ состоит из регулируемого усилителя
на транзисторах Т4, Т5 и Т6. Усиленный сигнал поступает на детектор АМ-
сигналов (амплитудно-модулированных сигналов), выполненный на составном
транзисторе Т7, Т8. Низкочастотный сигнал с резистора R19, включенного в
эмиттерную цепь, подается через внешний фильтр на предварительный усилитель
НЧ (низкой частоты), а также через резистор R15 на базу транзистора Т3, входящего в усилитель АРУ. Усиленное напряжение АРУ снимается с эмиттера
транзистора Т2. Изменение напряжения на эмиттере транзистора Т2 вызывает
изменение напряжения питания транзистора Т1, а следовательно и его
усиления.
На частоте 465 кГц коэффициент усиления усилителя ПЧ составляет 1200
- 2500. Коэффициент нелинейных искажений не превышает 3%. Если входной
сигнал меняется от 0,05 до 3 мВ, то изменение выходного напряжения не
превышает 6дБ. Напряжение на выходе системы АРУ при отсутствии выходного
сигнала составляет 3 - 4,5 В. Напряжение питания составляет 3,6 - 10 В.
Потребляемая мощность не более 35 мВт.
Анализ задания на проект
М
икросхема усиления промежуточной частоты (ПЧ) К 237ХА2 может быть
изготовлена по тонкопленочной технологии с применением навесных элементов.
Конструкция микросхемы выполняется методом свободной маски, при этом каждый
слой тонкопленочной структуры наносится через специальный трафарет. На
поверхности подложки сформированы пленочные резисторы, конденсаторы, а
также контактные площадки и межэлементные соединения. Пленочная технология
не предусматривает изготовление транзисторов, поэтому транзисторы выполнены
в виде навесных элементов, приклеенных на подложку микросхемы. Выводы
транзисторов привариваются к соответствующим контактным площадкам.
Электрический расчет принципиальной схемы
Э лектрический расчет производился с помощью системы “VITUS”.
Система VITUS - это компьютерное инструментальное средство разработчика электронных схем. Система VITUS позволяет рассчитать токи, напряжения, мощности во всех узлах и элементах схемы, частотные и спектральные характеристики схемы. Система VITUS объединяет в себе компьютерный аналог вольтметров, амперметров и ваттметров постоянного и переменного тока, генераторов сигналов произвольной формы, многоканального осциллографа, измерителя частотных характе-ристик.
Система VITUS :
. позволяет описывать принципиальную схему как в графическом виде, так и на встроенном входном языке;
. выводит требуемые результаты расчета в графическом виде;
. снабжена справочником параметров элементов;
. работает под управлением дружественного интерфейса.
Основной задачей электрического расчета является определение мощностей, рассеиваемых резисторами и рабочих напряжений на обкладках конденсаторов. В результате расчета были получены реальные значения мощностей и напряжений, которые являются исходными данными для расчета геометрических размеров элементов.
Результаты расчета приводятся в расчете геометрических размеров элементов.
Данные для расчета геометрических размеров тонкопленочных элементов
Таблица 3. Данные для расчета резисторов
|Резистор|Рном , |(R |[pic] |Резистор|Рном , |(R |[pic] |
| |Вт | | | |Вт | | |
|R1 |1,41E-6 |0,2 |0,1 |R11 |4,46E-3 |0,22 |0,1 |
|R2 |3,36E-8 |0,22 |0,1 |R12 |2,23E-4 |0,2 |0,1 |
|R3 |2,47E-4 |0,22 |0,1 |R13 |1,79E-5 |0,2 |0,1 |
|R4 |1,98E-4 |0,22 |0,1 |R14 |1,05E-2 |0,2 |0,1 |
|R5 |8,58E-6 |0,22 |0,1 |R15 |3,91E-10|0,22 |0,1 |
|R6 |5,35E-13|0,2 |0,1 |R16 |1,27E-6 |0,2 |0,1 |
|R7 |3,21E-5 |0,2 |0,1 |R17 |3,46E-4 |0,2 |0,1 |
|R8 |3,30E-3 |0,22 |0,1 |R18 |1,95E-4 |0,2 |0,1 |
|R9 |7,4E-5 |0,2 |0,1 |R19 |1,97E-4 |0,2 |0,1 |
|R10 |4,51E-5 |0,2 |0,1 | | | | |
Таблица 4. Данные для расчета конденсаторов
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: мировая торговля, инновационный менеджмент.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата