Московский Государственный институт электроники и математики

(Технический университет)

Кафедра: РТУиС

Пояснительная записка по выполнению курсового проекта на тему:

“Конструирование микросхем и микропроцессоров”

Выполнил: студент группы Р-72

Густов А.М.

Руководитель: доцент кафедры РТУиС,

кандидат технических

наук Мишин Г.Т.

Москва, 1994

Задание на курсовое проектирование

В данном курсовом проекте требуется разработать комплект конструкторской документации интегральной микросхемы К 237 ХА2. По функциональному назначению разрабатываемая микросхема представляет собой усилитель промежуточной частоты. Микросхема должна быть изготовлена по тонкопленочной технологии методом свободных масок (МСМ) в виде гибридной интегральной микросхемы (ГИМС).

[pic]

Рис. 1. Схема электрическая принципиальная

Таблица 1. Номиналы элементов схемы:

|Элемент |Номинал |Элемент |Номинал |Элемент |Номинал |Элемент |Номинал |
|R1 |950 Ом |R7 |4,25 кОм|R13 |1 кОм |R19 |1 кОм |
|R2 |14 кОм |R8 |12,5 кОм|R14 |3,5 кОм |C1 |3800 пФ |
|R3 |45 кОм |R9 |500 Ом |R15 |10 кОм |VT1-VT8 |КТ 312 |
|R4 |35 кОм |R10 |3 кОм |R16 |3,5 кОм |E |7,25 В |
|R5 |12,5 кОм|R11 |10 кОм |R17 |2,5 кОм | | |
|R6 |950 Ом |R12 |500 Ом |R18 |1 кОм | | |

Для подачи на схему входного сигнала и снятия выходного к микросхеме требуется подключить некоторое количество навесных элементов. Одна из возможных схем включения приведена на следующем рисунке.

[pic]

Рис. 2. Возможная схема включения

Таблица 2. Номиналы элементов схемы включения

|Элемент |Номинал |Элемент |Номинал |
|RA |8,2 кОм |CB |1 мкФ |
|RB |43 Ом |CC |0,033 мкФ |
|RC |2,2 кОм |CD |0,015 мкФ |
|RD |1,5 кОм |CE |4700 пФ |
|CA |3300 пФ |CF |3300 пФ |

Технические требования:

Конструкцию микросхемы выполнить в соответствии с электрической принципиальной схемой по тонкопленочной технологии методом свободных масок в корпусе.

Микросхема должна удовлетворять общим техническим условиям и удовлетворять следующим требованиям:
- предельная рабочая температура - 150( С;
- расчетное время эксплуатации - 5000 часов;
- вибрация с частотой - 5-2000 Гц;
- удары многократные с ускорением 35;
- удары однократные с ускорением 100;
- ускорения до 50.