Конструирование микросхем и микропроцессоров
| Категория реферата: Рефераты по информатике, программированию
| Теги реферата: движение реферат, п реферат
| Добавил(а) на сайт: Федот.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата
|Конденсатор |Uраб , В |[pic] |[pic] |
|C1 |2,348 | 0,23 |0,115 |
Расчет геометрических размеров тонкопленочных резисторов, выполненных методом свободной маски (МСМ)
1. Исходные данные: а). конструкторские: [pic], где
Rн - номинальное сопротивление резистора;
(R - относительная погрешность номинального сопротивления;
Pн - номинальная мощность;
T(max C - максимальная рабочая температура МС; tэкспл - время эксплуатации МС. б). технологические: [pic], где
(((((( - абсолютная погрешность изготовления;
(lустан - абсолютная погрешность совмещения трафарета;
[pic]- относительная погрешность удельного сопротивления.
2. Определяем диапазон [pic], в котором можно вести расчет:
0,02 Rmax ( [pic] < Rmin ( 900 < [pic] < 500
Видим, что неравенство не выполняется, значит все эти резисторы изготовить из одного материала невозможно. Чтобы мы все же могли изготовить резисторы, надо разбить их на две группы и для каждой группы выбрать свой материал.
Таблица 5. Разбивка резисторов на группы
|Первая группа |R1, R6, R7, R9, R10, R12, R13, R14, |
| |R16, R17, R18, R19 (500 - 4250 Ом) |
|Вторая группа |R2, R3, R4, R5, R8, R11, R15 (10 - |
| |45 кОм) |
Расчет резисторов первой группы.
1. Определяем диапазон [pic] , в котором можно вести расчет:
0,02 Rmax < [pic] < Rmin ( 85 < [pic] < 500
Видим, что неравенство выполняется, следовательно эти резисторы выполняются из одного материала. Для того чтобы резисторы были как можно меньше выберем материал с как можно большим удельным поверхностным сопротивлением ([pic]). Остановим свой выбор на материале “МЛТ-3М”. Этот материал обладает следующими характеристиками:
Таблица 6. Материал для первой группы резисторов
|№ |Наименование |[pic], Ом/? |( R , 1/(C |P0 , мВт/мм2 |S, %/103 час |
|1 |Сплав МЛТ-3М |200 -500 |0,0002 |10 |0,5 |
| |(К0,028,005,ТУ| | | | |
Как уже говорилось, [pic] лучше взять как можно больше, т.е. в
данном случае это [pic]=500. Этот материал обладает неплохими
характеристиками, присущими резистивным материалам, а именно: низким ТКС
((R), низким коэффициентом нестабильности (старения) (S), хорошей адгезией
и технологичностью.
2. Вычислим относительную температурную погрешность:
[pic]=0,0002(150-20)=0,026
3. Вычислим относительную погрешность старения:
[pic], где tисп - время испытания за которое определен коэффициент старения S; tисп = 1000 часов.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: мировая торговля, инновационный менеджмент.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата