Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Необходимо иметь представление о приборах с зарядовой связью.

Этот материал можно найти в [4].

6 Различные полупроводниковые приборы

[1], c.175-182;

В этом пункте основное внимание уделяется устройству тиристоров. Нужно знать устройство и принцип действия диодного и триодного тиристора. Нужно также уяснить работу теплоэлектрических приборов, полупроводниковых резисторов и варисторов.

Шумы и надежность электронных приборов [1], с. 158-165, 19-22;

Контрольные вопросы к I-разделу
1. Укажите роль электронных приборов и изделий микроэлектроники в подготовке специалистов Вашего профиля.
1. Начертите диаграммы энергетических зон собственного и примесного полупроводников и объясните характер электропроводности в полупроводниках.
1. Что такое диффузионный и дрейфовый токи?
1. Почему резко снижается концентрация подвижных носителей заряда в приконтактной области двух полупроводников с разными типом проводимости?
1. Начертите потенциальную диаграмму (или диаграмму энергетических уровней) p-n перехода в равновесном состоянии.
1. Начертите потенциальную диаграмму (или диаграмму энергетических уровней) p-n перехода при прямом включении.
1. Начертите потенциальную диаграмму (или диаграмму энергетических уровней) p-n перехода при обратном включении.
1. Чем отличается реальная вольтамперная характеристика p-n перехода от теоретической?
1. Какие виды пробоя p-n перехода вы знаете?
1. Что такое зарядная емкость p-n перехода?
1. Что такое диффузионная емкость p-n перехода?
1. Дайте классификацию полупроводниковых приборов по технологии изготовления и по типу структуры.
1. Как называются приборы, основанные на контакте металл-полупроводник?
1. Дайте классификацию диодов по конструктивным особенностям и применению.
1. Каково устройство и принцип действия полупроводникового диода?
1. Объясните устройство стабилитрона и его включение в схему.
1. Каковы особенности работы диодов в импульсном режиме?
1. Дайте классификацию транзисторов по конструкции и их применению.
1. Начертите схемы включения транзистора с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором?
1. В чём заключается особенности режимов: активного, отсечки и насыщения?
1. Расскажите принцип действия биполярного транзистора.
1. Дайте сравнение усилительных свойств транзисторов в разных схемах включений.
1. Изобразите статистические характеристики транзисторов и объясните ход их изменения.
1. Какие системы параметров транзисторов Вам известны и какая связь между ними?
1. Изобразите эквивалентные низкочастотные Т-образные схемы транзистора.
1. Что такое предельная частота, граничная частота усиления тока базы?
1. Нарисуйте диаграмму коллекторного тока при импульсном режиме работы.
1. Каков принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом?
1. Нарисуйте схему устройства транзистора с изолированным затвором и объясните его принцип действия.
1. Изобразите три схемы включения полевого транзистора. Нарисуйте семейство статических (выходных и передаточных) характеристик.
1. Что такое прибор с зарядовой связью?
1. Объясните принцип действия динистора.
1. Объясните вольтамперную характеристику динистора.
1. Назовите параметры тиристоров.
1. Объясните принцип действия полупроводниковых резисторов, варисторов.
1. Объясните принцип действия датчика Холла.
1. Назовите виды шумов в транзисторе.
1. Как определяется долговечность прибора?
1. Что такое интенсивность отказов?
1. Как влияет режим на надежность полупроводниковых приборов?

Раздел II. Оптоэлектронные и квантовые приборы

[1], с, 313-327, 356-371;

Данная тема является одним из перспективных направлений развития электроники. Поэтому необходимо уяснить достоинства оптоэлектронных приборов вообще, и оптронов в частности. Краткие сведения по оптронам можно найти в [1] и [4], по индикаторам в [1]. Более полные сведения по ним можно найти в дополнительной литературе [9].

Контрольные вопросы по разделу II
1. Основные достоинства оптоэлектронных приборов.
1. Устройство оптрона и основные его узлы.
1. Светоизлучатели. Основные требования к ним.
1. Светодиоды. !принцип цействия, характеристики, параметры.
1. Оптическая среда. назначение, требования к ней.
1. Фотоприемники. Характеристики и параметры.
1. Принцип действия фоторезистора, Характеристики и параметры.
1. Принцип действия и устройство Фотодиода. Фотогенераторный режим.
1. Фотопреобразовательный режим фотодиода.
1. Способы повышения коэффициента передачи тока оптронов.
1. Фототранзисторы и фототиристоры. Принцип работы и выходные характеристики,
1. Классификация оптронов. Условные обозначения.
1. Сравнительная характеристика.
1. Характеристики оптронов.
1. Параметры оптронов.
1. Применение оптронов.
1. Принцип действия полупроводниковых индикаторов
1. Жидкокристалические индикаторы. Принцип действия и разновидности.
1. Газоразрядные индикаторы и плазменные панели.

1. Применение индикаторов.

1. Полупроводниковые лазеры. Принцип действия, характеристики и особенности.

Раздел III. Микроэлектроника

1 Технологические основы микроэлектроники

Средством решения проблемы увеличения надежности, снижения стоимости, массогабаритных показателей и энергопотребления РЭА является комплексная миниатюризация, в широком смысле означающая системный подход к применению в аппаратуре средств микроэлектроники, а в прикладном смысле – метод создания аппаратуры, при котором все ее узлы, блоки и устройства выполнены на базе изделий микроэлектроники. Следует уяснить, что основная задача микроэлектроники – решение вопросов надежности микроэлектронных устройств, состоящих из большого количества элементов. Это и есть – «Тирания большого количества».

Классификация изделий микроэлектроники приведена в [2, с.27-32].

Основным видом изделий микроэлектроники являются ИМС, которые могут быть квалифицированы по технологии изготовления, степени интеграции, функциональному назначению и по применяемости в аппаратуре. Подробно см.
[2, с. 23-38].

Базовые технологические процессы изготовления полупроводниковых ИМС
(эпитаксия, термическое окисление, диффузия, ионное легирование, фотолитография, металлизация) достаточно полно и компактно описаны в [2, с.
55-78]. Усвойте назначение каждого из базовых процессов, а также умейте без излишней детализации объяснить их сущность.

Основу биполярных полупроводниковых ИМС составляют n-p-n транзисторы.
Отличия параметров и характеристик интегрального n-p-n транзистора от дискретного определяются расположением всех трех выводов на одной поверхности, а также влиянием подложки. Обратите внимание на способы улучшения параметров интегрального n-p-n транзистора, в частности, введение скрытого n-слоя.

Диоды полупроводниковых ИМС реализуются на основе n-p-n транзисторов, причем их параметры зависят от схемы включения транзистора в качестве диода.

Весьма важно для понимания принципов построения современных полупроводниковых цифровых ИМС разобраться с устройством и особенностями активных структур, не имеющих дискретных аналогов: многоэмиттерных и многоколлекторных транзисторов, транзисторов с барьером Шотки.

Обратите внимание на проблему реализации p-n-p транзисторов на одной подложке с основными n-p-n транзисторами, поймите отличия горизонтального и вертикального p-n-p транзисторов. Такие элементы наряду с супербета- транзисторами широко используются в полупроводниковых ИМС. Все перечисленные элементы ИМС подробно описаны в [2, с. 89-103].

В МДП ИМС используются структуры с одним типом кандалов (n-МДП, p-МДП) или двумя типами каналов (комплементарные, КМДП). Необходимо ясно понимать, что важным преимуществом МДП ИМС по сравнению с биполярными ИМС является упрощение технологии изготовления и соответственно больший процент выхода годных изделий и меньшая стоимость. МДП активные элементы занимают значительно меньшую площадь на подложке и позволяют реализовать ИМС с очень высокой степенью интеграции при малой потребляемой мощности. Обратите внимание на устройство и особенности КМДП ИМС, являющихся в настоящее время одним из наиболее перспективных типов ИМС. Данные вопросы достаточно кратко и понятно рассмотрены в [2, с. 103-112, 138-145].

Параметры и характеристики пассивных элементов полупроводниковых ИМС
(диффузионных и ионно-легированных резисторов, диффузионных и МДП конденсаторов) существенно отличаются от соответствующих параметров и характеристик дискретных резисторов и конденсаторов.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: шпори, рефераты по биологии.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата