Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата

В расчет времени регенерации следует принимать время цикла при выбранном режиме регенерации, умножив его на число строк. На регенерацию информации в
ЭП одной строки у микросхемы К565РУ3Г в режиме “Считывание-модификация- запись” необходимо 420 нс, тогда для регенерации ЭП всех 128 строк потребуется 54 мкс, что составит 2.7% рабочего времени микросхемы. В режиме регенерации только сигналом RAS общее время регенерации уменьшается до 47.4 мкс что состави 2.3% времени функционирования микросхемы.

[pic] m-число строк tЗАН- время занятости
Страничные режимы записи и считывания реализуют обращением к микросхеме по адресу строки с выборкой ЭП этой строки изменение адреса стлбцов. В этих режимах значительно уменьшается время цикла записи (считывания) поскольку при неизменных сигналах RAS=0 и кода адреса строки использована часть полного цикла записи (считывания), относящаяся к адресации столбцов.

Микросхема К565РУ3Г нуждается в трех источниках питания и следует учитывать требования по порядку включения и выключения источников питания: первым включают источник –5В, а отключают последним. Это требование обусловлено тем, что напряжение –5В подается на подложку (кристалл) и если его не подключить первым, то воздействием, даже кратковременным, напряжений двух других источников с напряжением 5 и 12В может произойти в кристалле тепловой пробой. Порядок включения двух других напряжений питания может быть любым.
После подачи напряжения питания микросхема К565РУ3Г переходит в нормальный режим функционирования через восемь рабочих циклов.

2.2.Параметры микросхемы К565РУ3Г

Характеристика микросхемы К565РУ3Г

Емкость,бит -16К x 1
Время цикла записи считывания- 370нс
Напряжение питания- 5В,12В,-12В
Потребляемая мощность: в режиме хранения- 40 мВт в режиме обращения- 460мВт
Тип корпуса- ДИП;16;7.5

Статические параметры микросхемы К565РУ3Г

I потребления динамический- 45мА

I потребления статический- 4Ма

U вх низкого уровня мах 0.8B min –1B

U вх высокого уровня вах 6В min 2.4B

U вых низкого уровня мах 0.4B
U вых высокого уровня min 2.4B

I вых низкого уровня мах 4мА
I вых высокого уровня мах 2мА

Выходной ток утечки мах 10мкА
Входной ток утечки мах 10мкА

Входная емкость по входам WR/RD, RAS, CAS мах 10пФ по входам A, DI мах 6 пФ
Выходная емкость мах 10 пФ
Максимальная емкость нагрузки 100 пФ

2.3.Расчет нагрузочной способности микросхемы К565РУ3Г

Характерным для ДБИС ЗУ, изготовляемых по МДП-технологии, является высокое входное омическое сопротивление. При определении числа Q ДБИС ЗУ, нагружаемых на ТТЛ-схему, учитывается в основном емкость входов микросхемы памяти.

[pic]
СМАХ- максимальная емкость нагрузки ТТЛ-схемы
СI- емкость входа ДБИС ЗУ

Т.к. для К555КП2 емкость СMAX?150Пф, а для К565РУ3Г емкость СI? 6-10Пф, то Q?15-25.

Выход К565РУ3Г имеет собственную емкость СВЫХ=10пФ и работает на емкостную нагрузку до 100пФ. Поэтому по входу можно объединить до 10 микросхем памяти.

3.1.Мультиплексоры блока динамического ОЗУ.
Мультиплексоры выполнены на схемах К555КП2.

Таблица истинности
| Входы | Выход |
| E | SED2 | SED1 | DO | D1 | D2 | D3 | D |
| H | X | X | X | X | X | X | L |
| L | L | L | L | X | X | X | L |
| L | L | L | H | X | X | X | H |
| L | L | H | X | L | X | X | L |
| L | L | H | X | H | X | X | H |
| L | H | L | X | X | L | X | L |
| L | H | L | X | X | H | X | H |
| L | L | H | X | X | X | L | L |
| L | L | H | X | X | X | H | H |

Назначение выводов ИС К555КП2
| 1 | Вход выбора S1 | EO |
| 2 | Вход адреса A1 | SED2 |
| 3 | Вход X1.4 | D3.0 |
| 4 | Вход X1.3 | D2.0 |
| 5 | Вход X1.2 | D1.0 |
| 6 | Вход X1.1 | D0.0 |
| 7 | Выход Y1 | D.O |
| 8 | Общий | GND |
| 9 | Выход Y2 | D.1 |
| 10 | Вход X2.1 | D0.1 |
| 11 | Вход X2.2 | D1.1 |
| 12 | Вход X2.3 | D2.1 |
| 13 | Вход X2.4 | D3.1 |
| 14 | Вход адреса A0 | SED1 |
| 15 | Вход выбора S2 | E.1 |
| 16 | Питание | UCC |

Условное графическое обозначение ИС КП555КП2 (рис а) и функциональная схема одного элемента (рис б).

[pic]

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: конспект урока 6 класс, сообщения вконтакте, индивидуальные рефераты.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата