Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата

СН МАХ=150пФ

Диапазон рабочих температур -10 +70°С

4.1.Принцип работы микросхемы КР580ИР82.

КР580ИР82 представляет собой 8-разрядный буферный регистр, предназначенный для ввода и вывода информации со стробированием.

Микросхема имеет восемь триггеров D-типа и восемь выходных буферов, имеющих на выходе состояние “выключено”. Управление передачей информации осуществляется с помощью сигнала STB “строб”.

При поступлении на вход STB сигнала высокого уровня осуществляется нетактируемая передача информации от входа DI до выхода DO. При подаче на вход STB сигнала низкого уровня микросхема хранит информацию предыдущего такта; при подаче на вход STB положительного перепада импульса происходит
“защелкивание” входной информации. Выходные буферы управляются сигналом ОЕ
“разрешение выхода”. При поступлении на вход ОЕ сигнала высокого уровня выходные буферы переводятся в состояние “выключено”.

Функциональная схема микросхемы КР580ИР82.

Назначение выводов ИС КР580ИР82.
|Номер вывода |Обозначение |Назначение |
|1-8 |DI0-DI7 |Входы регистра |
|9 |OE |Разрешение выхода |
|10 |GND |Общий |
|11 |STB |Строб |
|19-12 |D00-D07 |Выходы регистра |
|20 |UCC |Питание |

[pic]

Таблица истинности.
|Вход ОЕ |Вход STB |Входы DI |Выходы DO |
|0 |1 |1 |1 |
|0 |1 |0 |0 |
|0 |0 |Х |D00 |
|1 |Х |Х |Z |

DOO-состояние выхода в предыдущем такте.

Х-логический уровень на входе не влияет на состояние входа.

Z-состояние “выключено”.

4.2.Характеристики микросхемы КР580ИР82.

Число разрядов регистра 8

Ток потребления 160мА.
Входной ток низкого уровня ? -0.2мА.
Входной ток высокого уровня ?50мкА.
Выходное напряжение низкого уровня ?0.45В.
Выходное напряжение высокого уровня ?2.4В.
Выходной ток низкого уровня в состоянии “выключено” ?-50мА.
Выходной ток высокого уровня в состоянии “выключено” ?50мА.
Время передачи информации от входа до выхода ? 30нс.
Время цикла “запись-считывание” 100нс.
Время задержки распространения информационного сигнала на выходе относительно сигнала строба ?45нс.
Время задержки распространения информационного сигнала на выходе относительно сигнала “разрешения выхода” от10 до 30нс.
Время сохранения информационного сигнала на входе относительно сигнала строба ?25нс.
Длительность импульса сигнала строба ?15нс.
Минимальная длительность тактовых импульсов 15нс.
Входная емкость 12пФ.
Потребляемая мощность ? 800мВт.
Напряжение питания +5В.
Минимальная наработка 50000ч.
Срок сохраняемости 12 лет.

5.Расчет надежности блока динамического ОЗУ.

Для повышения надежности ЗУ применяется код Хемминга, исправляющий одноразрядную ошибку в слове ЗУ.

В качестве показателей надежности широко применяют вероятность безотказной работы Р(t) за время t и среднюю наработку до отказа Тср.
1. Вычисляется коэффициент КDL, учитывающий эквивалентную дозу отказов различных типов в зависимости от разрядности исправляемой ошибки L. При отказах БИС ЗУ можно выделить следующие основные типы отказов: отказ всей микросхемы (доля таких отказов а1), отказ строки (доля таких отказов а2), отказ столбца (доля таких отказов а3), отказ ЭП (доля таких отказов а4) а1=2 а2=14 а3=17 а4=42 если код исправляет одноразрядную ошибку (L=1):

[pic]

где: КM- коэффициент, учитывающий число разрядов БИС ЗУ (если число разрядов nM =1, то КМ=0, иначе КМ=1); KZ- коэффициент, учитывающий тип

ЗУ (для ПЗУ КZ=0.5, а для ОЗУ КZ=1); E- информационная емкость БИС ЗУ

(в битах).

2. Определение вероятности безотказной работы ЗУ Р(t).
Вероятность безотказной работы – это вероятность того, что в пределах заданной наработки, т.е. заданного интервала времени , отказ объекта не возникнет.

[pic]

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: конспект урока 6 класс, сообщения вконтакте, индивидуальные рефераты.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7 | Следующая страница реферата