Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

[pic] (3.1)

Uобр=0,2 B n p

ЗП

1 эВ

iобр

ВЗ

0,6 эВ ЗЗ

Рис. 3.4 Энергетическая диаграмма туннельного диода при

Uобр=0,2 В.

iпр, мА

4 _ А

3 _

2 _

1 _

Б

Uобр

-0,1 0,1 0,2

0,3 0,4 Uпр

iпр, мА

Рис. 3.5 Вольт-амперная характеристика туннельного диода.

После этого участка ток снова возрастает за счет прямого диффузионного

тока. Обратный

ток получается такой же, как прямой, т. е. вo много раз больше, нежели

у обычных диодов.
Туннельны диоды могут примкнятся в технике СВЧ, а также во многих импульсных радиоэлектронных устройствах, рассчитанных на высокое быстродействие. Помимо весьма малой инерционности достоинством туннельных диодов является их стойкость к ионизирующему излучению. Малое потребление энерги от источника питания также во многих случаях следует считать достоинством туннельных диодов. К сожелению, эксплутация этих диодов выявила существенный их недостаток. Он заключается в том, что эти иоды подвержены значительному старению, то есть с течением времени их характеристики и параметры заметно изменяются, что может привести к нарушению нормальной работы того или иного устройства.
Все туннельные диоды имеют весьма малые размеры. Например, они могут быть оформлены в целиндрических герметичных малостеклянных корпусах диаметром 3
– 4 мм и высотой около 2 мм. Выводы у них гибкие ленточные. Масса не превышает 0,15 г.

ЛИТЕРАТУРА

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: книга изложение, стандарты реферата, скачати реферат на тему.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата