Туннелирование в микроэлектронике
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: сочинение тарас, новшество
| Добавил(а) на сайт: Чан.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата
которого высота потенциального барьера понизилась на 0,1 эВ и составляет
0,7 эВ. В этом случае туннельный переход электронов из области n в область р
усиливается, так как в области р имеются в валентной зоне свободные уровни,
соответствующие таким же энергиям, как энергии уровней, занятых электронами
в зоне проводимости области n. А переход электронов из валентной зоны области
р в область n невозможен, так как уровни, занятые электронами в валентной
зоне области р, соответствуют в области n энергетическим уровням запрещённой-
зоны. Обратный туннельный ток отсутствует, и результирующий туннельный
ток достигает максимума. В промежуточных случаях, например когда Uпр=0,05
В,
существуют и прямой и обратный туннельный токи, но обратный ток меньше
прямого. Результирующим будет прямой ток, но он меньше максимального,
получающегося при Uпр= 0,1 В.
Uпр=0,1 B n p
ЗП
0,7 эВ iпр
ВЗ
0,6 эВ ЗЗ
Рис. 3.2 Энергетическая диаграмма туннельного диода при
Uпр=0,1 В
Случай, показанный на рис. 3.3 соответствует Uпр= 0,2 В, когда высота
потенциального барьера стала 0,6 эВ. При этом напряжении туннельный переход
невозможен, так как уровням, занятым электронами в данной области, соответствуют в другой области энергетические уровни, находящиеся в запрещённой зоне.
Туннельный ток равен нулю. Он отсутствует также и при большем прямом
напряжении. Следует помнить, что при возрастании
прямого напряжения увеличивается прямой
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: книга изложение, стандарты реферата, скачати реферат на тему.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 | Следующая страница реферата