Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

Валентная х

х зона

Валентная

зона

d d’

а) б)

Рис. 2.6.1 Туннелирование электрона а) без изменения энергии; б) с поглощением фотона

Высота этого барьера равна ширине запрещённой зоны Eg, а его толщина d характеризуется выражением:

[pic],

(2.6.1) где [pic]- величина напряжённости электрического поля. Как видно, с увеличением величины электрического поля толщина барьера уменьшается, а, следовательно, исходя из формулы (1.12), где d=l, увеличивается вероятность туннелирования.
В присутствии электрического поля участие фотона с энергией h?, как видно из рис. 2.6.1б, эквивалентно уменьшению толщины барьера до величины:

[pic]

(2.6.2) и туннельный переход становится ещё более вероятным. Уменьшение толщины барьера равносильно уменьшению ширины запрещённой зоны в сильном электрическом поле. Эффект туннелирования в присутствии электрического поля, сопровождаемый поглощением фотона, называется эффектом Франца
Келдыша. В собственном полупроводнике он проявляется как сдвиг края полосы собственного поглощения в сторону меньших энергий. На рис. 2.6.2 показано изменение края полосы поглощения для GaAs при разной напряжённости поля.

ln?

10 _

8 _

6 _

4 _

2

1,47 1,48
1,49 1,50 1,51 h?, эВ

Рис. 2.6.2 Край поглощения GaAs при разной напряжённости электрического поля;

Сплошная линия - [pic]=0, штрихпунктирная - [pic]=30 кВ.

3. ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД

Предложенный в 1958 г. японским учёным Л. Ёсаки туннельный диод изго-

товляется из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примесей

(1019 — 1020 см-3 ), т. е. с очень малым удельным сопротивлением, в сотни или

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: книга изложение, стандарты реферата, скачати реферат на тему.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата