Усилитель мощности на дискретных элементах
| Категория реферата: Рефераты по радиоэлектронике
| Теги реферата: література реферат, дипломная работа персонал
| Добавил(а) на сайт: Аверьян.
Предыдущая страница реферата | 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 | Следующая страница реферата
[pic], (2.5.71)
где Мос1 - коэффициент линейных искажений, создаваемый конденсатором
С3.
Рассчитываем постоянные времени:
[pic], (2.5.72)
Рассчитываем конденсаторы, учитывая влияние ОС:
[pic], (2.5.72)
[pic] (2.5.73)
Приводим конденсаторы к стандартному ряду:
С1 – K10-7А – 25В – 1.5нФ,
С2 – К10-47А – 25В – 1.2мкФ,
Сос1 – К10 – 47В – 25В – 0.68мкФ,
Сос2 – К10 – 17В – 50В – 27пФ.
Скорректированные АЧХ и ФЧХ приведены в приложении Б.
10 Расчет охладителя
Исходными данными при расчете охладителя являются:
- предельная температура рабочей области полупроводникового прибора tp;
- рассеиваемая прибором мощность P;
- внутреннее тепловое сопротивление переход-корпус PTn-p;
- тепловое сопротивление контакта между прибором и охладителем Rк;
[pic]
Рисунок 2.5.1 – коэффициент теплоотдачи охладителей.
Расчет охладителей для транзисторов VT8 VT9.
Определяем тепловое сопротивление контакта между прибором и охладителем RК:
[pic], (2.5.74)
где SК – площадь контактной поверхности, м2.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: шпаргалки по управлению, реферат лист, анализ курсовой работы.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 | Следующая страница реферата