Предыдущая страница реферата | 5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15 | Следующая страница реферата

Uкэ0(доп), Iк0(доп) - соответственно паспортные значения допустимого напряжения на коллекторе и постоянной составляющей тока коллектора.

7) Рассчитаем крутизну:

[pic] (3.50)
3.5 Переход к однонаправленной модели транзистора

Т.к рабочие частоты усилителя заметно больше частоты [pic], то из эквивалентной схемы можно исключить входную ёмкость, так как она не влияет на характер входного сопротивления транзистора. Индуктивность же выводов транзистора напротив оказывает существенное влияние и потому должна быть включена в модель. Эквивалентная высокочастотная модель представлена на рисунке 3.7.

[pic]

Рисунок 3.7- Однонаправленная модель транзистора

1) [pic],

(3.51) где [pic] - статический коэффициент передачи по току транзистора.

2) [pic] (3.52)

3) Постоянная времени транзистора:

[pic] (3.53)

4) Входная ёмкость каскада:

[pic] (3.54)

5) Входное сопротивление каскада:

[pic] (3.55)

6) [pic] (3.56)

7) Коэффициент усиления транзистора по напряжению в ОСЧ:

[pic] (3.57)

8) Выходная ёмкость:

[pic] (3.58)

9) Постоянная времени в ОВЧ:

[pic] (3.59)

[pic]

Рисунок 3.8- Принципиальная схема некорректированного каскада и эквивалентная схема по переменному току

Для расчета искажений в ОВЧ предварительно распределим искажения так:

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: доклад на тему, шпаргалка егэ, физика 7 класс.





Предыдущая страница реферата | 5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15 | Следующая страница реферата