Предыдущая страница реферата | 4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 | Следующая страница реферата

(3.40)

9) R1=Uб2/Iдел=5,3В/11мА = 481,818Ком

(3.41)

10) R3= UR2/Iдел=(1+0,7)В/11мА =1 54,545Ом

(3.42)

Из рассмотренных схем видно, что наиболее эффективной будет схема с эмиттерной термостабилизацией, т.к. каскад выходной и следовательно мощный, и диапазон усиливаемых частот не очень большой, то нет необходимости в другом виде термостабилизации.

3.4 Расчёт эквивалентной схемы замещения

При использовании транзисторов до (0,2 - 0,3)fт возможно применение упрощенных эквивалентных моделей транзисторов, параметры элементов эквивалентных схем которых легко определяются на основе справочных данных.

Эквивалентная схема биполярного транзистора представлена на рисунке
3.6.

[pic]

Рисунок 3.6 - Эквивалентная схема биполярного транзистора (схема

Джиаколетто)

1) Найдем ёмкость коллекторного перехода:

[pic] (3.43)

2) Рассчитаем сопротивление базы:

Rб =?с/Ск=18пс/11,465пФ = 1,57Ом

(3.44) gб=[pic]=0,637Cм

(3.45)
3) Рассчитаем сопротивление эмиттера: rэ=[pic] =[pic]=0,618Ом,

(3.46) где Iк0 в мА; rэ - сопротивление эмиттера.

4) Найдем проводимость база – эмиттерного перехода: gбэ=[pic]=[pic],
(3.47) где gбэ - проводимость база-эмиттер;

[pic] - справочное значение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

5) Рассчитаем емкость эмиттерного перехода:

Cэ=[pic]=[pic], (3.48) где Cэ - ёмкость эмиттера; fт - справочное значение граничной частоты транзистора.

6) Найдем сопротивление транзистора:

Ri = [pic],
(3.49) где Ri - выходное сопротивление транзистора;

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: доклад на тему, шпаргалка егэ, физика 7 класс.





Предыдущая страница реферата | 4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 | Следующая страница реферата