Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата

[pic]
(3.14)

7) КПД:[pic] (3.15)

Таблица 3.1 - Характеристики вариантов схем коллекторной цепи.

| |Еп,В|Iко,А|[pic],Вт|Uкэо,В |[pic],Вт|[pic],Вт|[pic],%|
|Резистивный |17 |0,22 |3,74 |6 |0,25 |1,32 |6,685 |
|каскад | | | | | | | |
|Дроссельный |11,5|0,11 |1,265 |6 |0,25 |0,66 |19,763 |
|каскад | | | | | | | |

Из рассмотренных вариантов схем питания усилителя видно, что лучше выбрать дроссельный каскад.

3.2 Выбор транзистора

Выбор транзистора для оконечного каскада осуществляется с учетом следующих предельных параметров:

1) Граничной частоты усиления транзистора по току в схеме с ОЭ:

[pic],

(3.16) где [pic] из технического задания.

Найдем граничную частоту усиления транзистора по току в схеме с ОЭ:

[pic]
(3.17)

2) Предельно допустимого напряжения коллектор-эмиттер:

[pic]
(3.18)

3) Предельно допустимого тока коллектора:

[pic] (3.19)

4) Допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе:

[pic] (3.20)

Тип проводимости транзистора может быть любой для ШУ.

Анализируя требуемые параметры, выбираем транзистор КТ913А.

Это кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n генераторный сверхвысокочастотный.

Предназначенный для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 200 – 1000 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока.

Выпускается в герметичном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.

Основные параметры транзистора:

1) Граничная частота коэффициента передачи по току в схеме с ОЭ: fГ =900 МГц;

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: доклад на тему, шпаргалка егэ, физика 7 класс.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 | Следующая страница реферата