Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8 | Следующая страница реферата

Эмиттерную диффузию ведут в одну стадию и распределение примеси описывается erfc-функцией:

(5)

где [pic] - концентрация предельной растворимости мышьяка в кремнии при заданной температуре (1100(С);

[pic] - глубина залегания эмиттерного p-n перехода.

Диффузия мышьяка идёт в неоднородно легированную базовую область, поэтому расчётная формула усложняется:

(6)

где[pic] при 1100(С;

[pic].

Подставив эти значения в выражение 6 получим: [pic].

Подставляя это значение в выражение 5 получим распределение мышьяка в эмиттерной области после диффузии. График распределения представлен на рисунке 1.

1.4 Расчет режимов эмиттерной диффузии

Найдём, по аналогии с базовой диффузией, для эмиттерной время и температуру процесса. В данном случае температура процесса задана (1100(С) и необходимо найти только время диффузии. Для этого необходимо сначала определить коэффициент диффузии, который находится из выражения 4.
Постоянная диффузии D0 энергия активации [pic] для фосфора равны 10,5 и
4,08 соответственно. Тогда получаем:

Решив это уравнение получим:

[pic] ; t=98мин 33сек.

Так как эмиттерная диффузия проходит при высоких температурах, то она оказывает влияние на диффузию бора в базовой области. Необходимо учитывать это влияние. Учесть эмиттерную диффузию при базовой можно по следующей формуле:

[pic] . (7)

Таким образом время разгонки при базовой диффузии с учётом влияния эмиттерной диффузии t2=53мин 44сек.. В таблице 2 представлены все основные параметры диффузионных процессов.

Таблица 2 – Параметры диффузионных процессов

|Параметр |Эмиттерная |Базовая диффузия |
| |диффузия | |
| | |Загонка |Разгонка |
|Dt, [pic] |[pic] |[pic] |[pic] |
|D, [pic] |[pic] |[pic] |[pic] |
|t |98мин 33с |15мин 48с |53мин 44с* |

* - время разгонки, представленное в таблице, уже с учётом эмиттерной диффузии

Совмещённое распределение примесей определяется выражением:

(8)

где [pic], [pic], [pic] - концентрации эмиттерной, базовой и коллекторной областей соответственно, в данной точке.

График совмещённого распределения примесей представлен на рисунке 2.
Таблица 3-Распределение примесей в транзисторной структуре
|Глубина залегания|Распределение |Распределение |Суммарное |
|примеси |примеси в |примеси в базе |распределение |
| |эмиттере | | |
|x, см |N(x), см -3 |N(x), см -3 |N(x), см -3 |
|0 |1,6?10 21 |2?10 18 |1,59?10 21 |
|4?10 –6 |1,17?10 21 |1,98?10 18 |1,17?10 21 |
|8?10 –6 |7,81?10 20 |1,94?10 18 |7,79?10 20 |
|1,2?10 –5 |4,83?10 20 |1,86?10 18 |4,81?10 20 |
|2,8?10 –5 |2,59?10 19 |1,36?10 18 |2,45?10 19 |
|3,2?10 –5 |9,13?10 18 |1,21?10 18 |7,98?10 18 |
|3,6?10 –5 |3,13?10 18 |1,06?10 18 |2,05?10 18 |
|4,8?10 –5 | |6,47?10 17 |6,32?10 17 |
|5,6?10 -5 | |4,31?10 17 |4,16?10 17 |
|6,4?10 –5 | |2,69?10 17 |2,54?10 17 |
|7,2?10 –5 | |1,58?10 17 |1,43?10 17 |
|8?10 –5 | |8,73?10 16 |7,23?10 16 |
|8,8?10 –5 | |4,52?10 16 |3,02?10 16 |
|9,6?10 –5 | |2,02?10 16 |7,02?10 15 |
|1,05?10 –4 | |9,08?10 15 |5,91?10 15 |
|1,1?10 –4 | |5,37?1015 |9,62?10 15 |
|1,15?10 –4 | |3,09?10 15 |1,19?10 16 |
|1,2?10 –4 | |1,74?10 15 |1,33?10 16 |
|1,3?10 –4 | |5,13?10 14 |1,44?10 16 |
|1,4?10 -4 | |1,36?10 14 |1,48?10 16 |
|1,5?10 –4 | |3,31?10 13 |1,49?10 16 |

[pic]

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: курсовые работы бесплатно, реферат влияние, курсовик.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8 | Следующая страница реферата