Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8 | Следующая страница реферата

1- Распределение мышьяка в эмиттерной области после диффузии;

2- Распределение бора в базовой области после диффукзии;

3- Концентрация примеси в коллекторе

Рисунок 1-Профиль распределения примесей в эмиттере и базе

[pic]

Рисунок 2- Суммарное распределение примесей эмиттера и базы

2 Расчет слоевых сопротивлений биполярного транзистора

Слоевые сопротивления для базовой и эмиттерной областей рассчитываем по следующей формуле:

[pic], (9)

где q = 1.6?10 -19 Кл – заряд электрона;

N(x,t) – распределение примеси в данной области транзисторной структуры;

?(N(x,t)) – зависимость подвижности от концентрации примеси.

Зависимость подвижности от концентрации примеси определяется по формулам:

(10)

(11)

Таким образом, слоевое сопротивление эмиттера рассчитываем по формуле:

[pic], (12)

где NЭМ(x,t) – распределение примеси в эмиттере рассчитанное по формуле 5.

Теперь произведём расчёт слоевого сопротивления базы по формуле:

[pic], (13)

где NБАЗ(x,t) – распределение бора в базовой области рассчитанное по формуле 1.

Для расчёта слоевых сопротивлений воспользуемся пакетом программ
Mathcad 5.0 Plus, в результате расчёта получили следующие значения слоевых сопротивлений:

[pic] = 7.16 Ом/кв;

[pic]= 795 Ом/кв.

Произведём также расчёт слоевых сопротивлений для двух крайних значений, определённых с точностью поддержания температур при легировании области эмиттера Т=±1,5°С. В результате расчётов получим следующие значения слоевых сопротивлений: при Т = 1101,5°С [pic] = 6.07 Ом/кв. при Т = 1098,5°С [pic]= 7.37 Ом/кв.

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: курсовые работы бесплатно, реферат влияние, курсовик.





Предыдущая страница реферата | 1  2  3  4  5  6  7  8 | Следующая страница реферата