Предыдущая страница реферата | 6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16 | Следующая страница реферата

Рис 12. Примеры использования процесса диффузии примесей.

а) – локальная диффузия в пластину; б) – локальная диффузия в эпитаксиальный слой; в) – общая диффузия на одной из поверхностей пластин; г) – двойная диффузия: общая (р-слой) и локальная (n-слой).

Рис 13. Схема ионного легирования.

1 – источник ионов;
2 – анализатор по массе;
3 – электростатический ускоритель ионов;
4 – щель;
5 – фокусирующая система;
6 – сканирующая система;
7 – приемная камера;
8 – полупроводниковая пластина;
9 – высоковольтный источник.

7

6

5

4

3

9

8

2

1

Рис 14. Элементы ИМС. – р область

а) – n-p-n транзистор; – n область б) – резистор; в) – конденсатор;

– р+ область

– SiO2 – n+ область

в)

а)

б)

С

R

С

Б

С

Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: список рефератов, зимнее сочинение, картинки реферат.





Предыдущая страница реферата | 6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16 | Следующая страница реферата