Изготовление кристаллов
| Категория реферата: Промышленность, производство
| Теги реферата: allbest, европа реферат
| Добавил(а) на сайт: Апакидзе.
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 | Следующая страница реферата
6. Ионное легирование.
Бор 1. “Карман”. Установка “Лада 30”.
7. Снятие фоторезиста.
7.1. Плазма. Установка “08 ПХО 100Т-001”
7.2. Смесь Каро.
8. Химическая обработка.
9. Разгонка бора. “Карман”.
Температура 1200ОС. О2+азот.
10. Вторая фотолитография.
Формирование областей сток- исток р-канальных транзисторов и р+-охраны.
11. Ионное легирование.
Бор 2 . Сток- исток. Установка “Везувий-3М”.
12. Снятие фоторезиста.
Плазма и смесь Каро.
13. Химическая обработка.
14. Разгонка бора. Сток- исток.
Температура 1000ОС, О2+пар.
15. Третья фотолитография.
Формирование областей сток- истока n-канальных транзисторов и n+-охраны.
16. Химическая обработка.
17. Загонка фосфора (диффузионный метод).
Температура 900ОС. Диффузант — POCl3.
18. Снятие фосфорселикатного стекла.
HF : H2O =1 :10.
19. Разгонка фосфора.
Температура 1000ОС. О2+пар.
20. 4Я фотолитография.
Вскрытие областей под затвор и контактные окна.
21. Окисление 2 — подзатворный диэлектрик.
Температура 1000ОС. О2+HCl.
22. Стабилизация фосфора.
Температура 900ОС. Диффузант — POCl3.
23. Подлегирование.
24. Отжиг подзатворного диэлектрика.
25. 5Я фотолитография.
Вскрытие контактных окон.
26. Химическая обработка.
27. Напыление Al+Si.
Установка “Магна 2М”.
28. 6Я фотолитография.
Формирование алюминиевой разводки.
29. Вжигание алюминия.
Температура 475ОС в азоте.
30. Нанесение защитного окисла.
Температура 400ОС. SiH4+O2.
Установка “Аксин”.
31. 7Я фотолитография.
Вскрытие контактных площадок.
32. 8Я фотолитография.
Рекомендуем скачать другие рефераты по теме: научные текст, реферат на тему отношения.
Категории:
Предыдущая страница реферата | 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 | Следующая страница реферата
Главная